中文摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
第一章绪论 | 第9-17页 |
·红外探测技术及其发展趋势 | 第9-11页 |
·红外微测辐射热计技术基本原理 | 第11-14页 |
·氧化钒红外探测器的研究现状 | 第14-15页 |
·研究目的与意义 | 第15-17页 |
第二章 综述氧化钒薄膜的性质及主要制备方法 | 第17-32页 |
·氧化钒的晶体结构与性质 | 第17-20页 |
·五氧化二钒(V_2O_5) | 第18-19页 |
·二氧化钒(VO_2) | 第19-20页 |
·三氧化二钒(V_2O_3) | 第20页 |
·氧化钒的相变特性 | 第20-23页 |
·VO_2 的相变特性 | 第20-22页 |
·V_2O_5 的相变特性 | 第22页 |
·关于VO_2 相变的理论 | 第22-23页 |
·降低氧化钒薄膜转变温度的方法 | 第23-26页 |
·提高电阻温度系数的方法 | 第26-27页 |
·氧化钒薄膜的制备方法 | 第27-31页 |
·真空蒸发镀膜法 | 第27-28页 |
·溅射镀膜法 | 第28-29页 |
·脉冲激光沉积法 | 第29-30页 |
·溶胶—凝胶法 | 第30页 |
·液相沉积法和热分解法等 | 第30-31页 |
·氧化钒薄膜的分析与表征方法 | 第31-32页 |
第三章 真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究 | 第32-49页 |
·成膜机理 | 第32-35页 |
·镀膜设备 | 第32-34页 |
·蒸发镀膜基本过程 | 第34-35页 |
·氧化钒薄膜的制备 | 第35-37页 |
·基片清洗 | 第35-36页 |
·基片温度的选择 | 第36页 |
·蒸发制备氧化钒薄膜及真空退火 | 第36-37页 |
·薄膜测试结果与分析 | 第37-48页 |
·真空退火对薄膜性能的影响 | 第37-39页 |
·基片类型对薄膜性能的影响 | 第39-40页 |
·基片温度对薄膜性能的影响 | 第40-45页 |
·薄膜厚度对薄膜性能的影响 | 第45-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第四章 射频磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究 | 第49-63页 |
·成膜机理 | 第50-53页 |
·射频溅射成膜机理 | 第50-51页 |
·磁控溅射镀膜原理及特征 | 第51-53页 |
·氧化钒薄膜制备 | 第53-54页 |
·溅射气氛对氧化钒薄膜的影响 | 第54-58页 |
·氧化钒薄膜的电特性测试 | 第54-56页 |
·氧化钒薄膜的XPS分析 | 第56-58页 |
·真空热处理对溅射氧化钒薄膜的影响 | 第58-62页 |
·真空热处理对溅射氧化钒薄膜电性能的影响 | 第58-60页 |
·氧化钒薄膜的XPS分析 | 第60页 |
·氧化钒薄膜的SEM分析 | 第60-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第五章 直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究 | 第63-83页 |
·成膜机理 | 第64-65页 |
·正交实验法研究最佳制备工艺条件 | 第65-76页 |
·玻璃基片上制备氧化钒薄膜的正交实验设计 | 第65-71页 |
·硅基片上制备氧化钒薄膜的正交实验设计 | 第71-76页 |
·退火工艺对薄膜性能的影响 | 第76-82页 |
·电阻温度特性测试 | 第76-77页 |
·AFM分析 | 第77-81页 |
·XPS分析 | 第81-82页 |
·本章小结 | 第82-83页 |
第六章 真空蒸发、射频溅射与直流对靶溅射方法的比较 | 第83-91页 |
·制备工艺的比较 | 第83-84页 |
·氧化钒薄膜成分的比较 | 第84-86页 |
·氧化钒薄膜微观结构的比较 | 第86-88页 |
·氧化钒薄膜电性能的分析 | 第88-90页 |
·本章小结 | 第90-91页 |
第七章 基于多孔硅的氧化钒热敏结构研究 | 第91-100页 |
·多孔硅的特性 | 第91-92页 |
·热敏多层结构的制备 | 第92-97页 |
·多孔硅的制备 | 第93-95页 |
·多孔硅绝热效果的模拟 | 第95-96页 |
·硅衬底和二氧化硅的制备 | 第96页 |
·氧化钒薄膜的制备 | 第96-97页 |
·多层结构热敏特性的测试 | 第97-98页 |
·基于不同孔隙率多孔硅的多层结构热敏特性测试 | 第98-99页 |
·本章小结 | 第99-100页 |
第八章 全文总结 | 第100-103页 |
·全文结论 | 第100-101页 |
·本文创新点 | 第101页 |
·以后工作展望 | 第101-103页 |
参考文献 | 第103-110页 |
发表论文和科研情况说明 | 第110-111页 |
附录 | 第111-113页 |
致谢 | 第113页 |