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非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜的制备研究

 中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章绪论第9-17页
   ·红外探测技术及其发展趋势第9-11页
   ·红外微测辐射热计技术基本原理第11-14页
   ·氧化钒红外探测器的研究现状第14-15页
   ·研究目的与意义第15-17页
第二章 综述氧化钒薄膜的性质及主要制备方法第17-32页
   ·氧化钒的晶体结构与性质第17-20页
     ·五氧化二钒(V_2O_5)第18-19页
     ·二氧化钒(VO_2)第19-20页
     ·三氧化二钒(V_2O_3)第20页
   ·氧化钒的相变特性第20-23页
     ·VO_2 的相变特性第20-22页
     ·V_2O_5 的相变特性第22页
     ·关于VO_2 相变的理论第22-23页
   ·降低氧化钒薄膜转变温度的方法第23-26页
   ·提高电阻温度系数的方法第26-27页
   ·氧化钒薄膜的制备方法第27-31页
     ·真空蒸发镀膜法第27-28页
     ·溅射镀膜法第28-29页
     ·脉冲激光沉积法第29-30页
     ·溶胶—凝胶法第30页
     ·液相沉积法和热分解法等第30-31页
   ·氧化钒薄膜的分析与表征方法第31-32页
第三章 真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究第32-49页
   ·成膜机理第32-35页
     ·镀膜设备第32-34页
     ·蒸发镀膜基本过程第34-35页
   ·氧化钒薄膜的制备第35-37页
     ·基片清洗第35-36页
     ·基片温度的选择第36页
     ·蒸发制备氧化钒薄膜及真空退火第36-37页
   ·薄膜测试结果与分析第37-48页
     ·真空退火对薄膜性能的影响第37-39页
     ·基片类型对薄膜性能的影响第39-40页
     ·基片温度对薄膜性能的影响第40-45页
     ·薄膜厚度对薄膜性能的影响第45-48页
   ·本章小结第48-49页
第四章 射频磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究第49-63页
   ·成膜机理第50-53页
     ·射频溅射成膜机理第50-51页
     ·磁控溅射镀膜原理及特征第51-53页
   ·氧化钒薄膜制备第53-54页
   ·溅射气氛对氧化钒薄膜的影响第54-58页
     ·氧化钒薄膜的电特性测试第54-56页
     ·氧化钒薄膜的XPS分析第56-58页
   ·真空热处理对溅射氧化钒薄膜的影响第58-62页
     ·真空热处理对溅射氧化钒薄膜电性能的影响第58-60页
     ·氧化钒薄膜的XPS分析第60页
     ·氧化钒薄膜的SEM分析第60-62页
   ·本章小结第62-63页
第五章 直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究第63-83页
   ·成膜机理第64-65页
   ·正交实验法研究最佳制备工艺条件第65-76页
     ·玻璃基片上制备氧化钒薄膜的正交实验设计第65-71页
     ·硅基片上制备氧化钒薄膜的正交实验设计第71-76页
   ·退火工艺对薄膜性能的影响第76-82页
     ·电阻温度特性测试第76-77页
     ·AFM分析第77-81页
     ·XPS分析第81-82页
   ·本章小结第82-83页
第六章 真空蒸发、射频溅射与直流对靶溅射方法的比较第83-91页
   ·制备工艺的比较第83-84页
   ·氧化钒薄膜成分的比较第84-86页
   ·氧化钒薄膜微观结构的比较第86-88页
   ·氧化钒薄膜电性能的分析第88-90页
   ·本章小结第90-91页
第七章 基于多孔硅的氧化钒热敏结构研究第91-100页
   ·多孔硅的特性第91-92页
   ·热敏多层结构的制备第92-97页
     ·多孔硅的制备第93-95页
     ·多孔硅绝热效果的模拟第95-96页
     ·硅衬底和二氧化硅的制备第96页
     ·氧化钒薄膜的制备第96-97页
   ·多层结构热敏特性的测试第97-98页
   ·基于不同孔隙率多孔硅的多层结构热敏特性测试第98-99页
   ·本章小结第99-100页
第八章 全文总结第100-103页
   ·全文结论第100-101页
   ·本文创新点第101页
   ·以后工作展望第101-103页
参考文献第103-110页
发表论文和科研情况说明第110-111页
附录第111-113页
致谢第113页

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