高Q值RF-MEMS平面电感的研究
| ABSTRACT | 第1-6页 |
| 目 录 | 第6-9页 |
| 第1章 引 言 | 第9-18页 |
| ·课题背景与目的 | 第9-11页 |
| ·高Q值电感的研究概况 | 第11-15页 |
| ·论文研究目标 | 第15-16页 |
| ·论文各部分的主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 MEMS平面电感的理论研究与设计 | 第18-31页 |
| ·平面电感的物理模型与参数计算 | 第18-24页 |
| ·平面电感的物理模型 | 第18-21页 |
| ·电感值与Q值的计算 | 第21-22页 |
| ·电感性能随参数的变化 | 第22-24页 |
| ·MEMS平面电感的HFSS有限元模拟 | 第24-27页 |
| ·HFSS模拟电感结构的基本流程 | 第24-26页 |
| ·物理模型与HFSS计算结果的比较 | 第26-27页 |
| ·高Q值MEMS平面电感的结构设计 | 第27-31页 |
| ·几种低损耗衬底隔离层的比较 | 第27-29页 |
| ·高Q值平面电感的结构设计 | 第29-31页 |
| 第3章 高Q值平面电感的关键工艺研究 | 第31-58页 |
| ·平面电感的几项关键工艺 | 第31-32页 |
| ·氧化多孔硅低损耗衬底的制备 | 第32-43页 |
| ·多孔硅的基本理论 | 第32-33页 |
| ·选择性多孔硅的制备方法 | 第33-39页 |
| ·多孔硅的干燥 | 第39-40页 |
| ·多孔硅的氧化 | 第40-43页 |
| ·氧化多孔硅研究小结 | 第43页 |
| ·聚酰亚胺介质层的制备与刻蚀 | 第43-48页 |
| ·聚酰亚胺性质概述 | 第43-44页 |
| ·聚酰亚胺的制备 | 第44-46页 |
| ·聚酰亚胺的刻蚀 | 第46-48页 |
| ·聚酰亚胺研究小结 | 第48页 |
| ·电镀Cu工艺研究 | 第48-58页 |
| ·电镀Cu的基本理论 | 第48-50页 |
| ·电镀Cu工艺研究 | 第50-54页 |
| ·电镀Cu实验结果与问题分析 | 第54-57页 |
| ·电镀Cu工艺研究小结 | 第57-58页 |
| 第4章 MEMS平面电感的制作流程 | 第58-69页 |
| ·MEMS平面电感的版图设计 | 第58-61页 |
| ·MEMS电感版图的设计规则 | 第58-59页 |
| ·MEMS平面电感的版图 | 第59-61页 |
| ·电感的整体流程与工艺经验 | 第61-67页 |
| ·电感流水结果 | 第67-69页 |
| 第5章 电感的测试结果与讨论 | 第69-77页 |
| ·电感参数的测试方法 | 第69-70页 |
| ·电感的测试结果 | 第70-77页 |
| ·Q值最高的平面电感 | 第70-72页 |
| ·不同圈数电感的比较 | 第72-73页 |
| ·几种特殊结构电感的测试结果 | 第73-76页 |
| ·低通滤波结构的测试结果 | 第76-77页 |
| 第6章 结 论 | 第77-79页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第77-78页 |
| ·论文工作的创新点和主要成果 | 第78页 |
| ·对进一步研究工作的展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 致 谢 | 第82页 |
| 声 明 | 第82-83页 |
| 个人简历 | 第83页 |
