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TH_z频段的表面等离子体激元的理论研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
第一章 绪论第13-17页
   ·引言第13-14页
   ·在光频下的金属的表面等离子体第14-15页
   ·半导体的表面等离子体第15-16页
   ·本论文的研究工作第16-17页
第二章 TH_z科学与技术第17-22页
   ·TH_z的简介第17页
   ·TH_z的历史及发展状况第17-18页
   ·TH_z辐射的独特性质第18-19页
   ·TH_z辐射的应用研究领域第19-20页
   ·TH_z领域的一些挑战性科学问题第20-21页
   ·本章小结第21-22页
第三章 SPP_s的基本电磁理论以及应用第22-34页
   ·表面等离子体激元的色散关系第22-28页
   ·SPP_s 的特征长度第28-32页
     ·表面等离子体激元的波长第28-29页
     ·SPP_s的传播长度第29-30页
     ·SPP_s的趋肤深度第30-32页
   ·SPP_s的激励方式第32-33页
   ·本章小结第33-34页
第四章 TH_z频段下的SPP_s理论研究第34-49页
   ·金属的Drude模型第34-38页
   ·半导体的Drude模型第38-40页
   ·TH_z频段下半导体 SPP_s的理论研究第40-45页
     ·半导体SPP_s的特征参数第40-41页
     ·TH_z辐射下金和锑化铟SPP_s特征参数的计算第41-43页
     ·TH_z 辐射下多种半导体的SPP_s特征参数的计算第43-45页
   ·TH_z频域下超导体的SPP_s研究第45-48页
   ·本章小结第48-49页
第五章 总结与展望第49-51页
参考文献第51-54页
致谢第54-55页
攻读硕士研究生期间发表的学术论文第55-56页
导师和作者简介第56页

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