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半导体中超快动力学过程的研究

第一章 绪论第1-22页
   ·飞秒激光与超快光学第8-10页
   ·研究半导体中载流子超快动力学的意义第10-13页
   ·半导体中的超快过程第13-16页
   ·探测半导体中的超快过程的方法第16-19页
   ·本文的章节安排第19-20页
 参考文献第20-22页
第二章 超短光脉冲与实验方法第22-46页
   ·测量短暂时间间隔的历史回顾第22-23页
   ·超短脉冲激光第23-26页
   ·飞秒激光脉冲宽度的测量第26-29页
   ·Ti:Sapphire飞秒激光器系统第29-32页
   ·超快测量系统的建立第32-44页
   ·-1 系统的硬件设备和软件的组成第32-37页
   ·-2 泵浦-探测超快反射谱测量系统第37-38页
   ·-3 泵浦-探测超快吸收谱测量系统第38-39页
   ·-4 超快光电流测试系统第39-43页
   ·-5 三种测量方法的比较第43-44页
   ·本章小结第44页
 参考文献第44-46页
第三章 Ge量子点的超快相位动力学研究第46-66页
   ·相干态相位动力学第46-54页
   ·-1 引言第46-47页
   ·-2 二能级体系的光学Bloch方程第47-50页
   ·-3 脉冲对作用下相干态动力学第50-54页
   ·Ge量子点的稳态光电流谱第54-57页
   ·-1 Ge量子点的制备及其特性的表征第54-55页
   ·-2 Ge量子点的量子限制能级第55-57页
   ·Ge量子点的瞬态光电流谱第57-63页
   ·-1 瞬态光电流谱的测量及实验结果第57-60页
   ·-2 Ge量子点的退相时间第60-63页
   ·本章小结第63-64页
 参考文献第64-66页
第四章 用时间分辨反射谱研究掺Fe的InP中载流子动力学第66-86页
   ·引言第66-69页
   ·实验的描述和样品性能的表征第69-72页
   ·-1 样品的制备和测试方法第69-70页
   ·-2 样品的红外吸收谱第70-71页
   ·-3 样品的瞬态荧光谱第71-72页
   ·低光子能量激发下掺Fe的InP中的载流子的反射动力学第72-78页
   ·-1 测量的基本原理第72-73页
   ·-2 光生载流子的扩散动力学第73-78页
   ·高光子能量激发下掺Fe的InP中的光生载流子的反射动力学第78-82页
   ·本章小结第82-83页
 参考文献第83-86页
第五章 ZnSe纳米材料的超快吸收谱和瞬态发光谱第86-100页
   ·引言第86-87页
   ·实验的描述及材料的表征第87-89页
   ·ZnSe纳米材料的超快吸收谱第89-93页
   ·ZnSe纳米材料在不同温度下的瞬态发光谱第93-96页
   ·本章小结第96-97页
 参考文献第97-100页
第六章 主要结论第100-102页
附录 在读期间发表的文章第102-103页
致谢第103-104页

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