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电磁轴承开关功率放大器的设计与研究

摘要第1-3页
Abstract第3-7页
第一章 绪论第7-10页
 §1.1 概述第7页
 §1.2 国内外电磁轴承的发展现状第7-8页
 §1.3 功率放大器简介第8-9页
 §1.4 本文所做的工作第9-10页
第二章 电磁轴承系统的简介第10-19页
 §2.1 电磁轴承的特点第10页
 §2.2 系统组成第10-13页
 §2.3 单自由度电磁轴承—转子系统的数学模型第13-14页
 §2.4 电磁轴承系统的控制策略与功放类型第14-16页
 §2.5 电磁轴承对功率放大器的基本要求第16-18页
  2.5.1 电磁轴承对功率放大器输入电压的要求第16-17页
  2.5.2 电磁轴承对功率放大器的功率要求第17-18页
 §2.6 本章小结第18-19页
第三章 开关功率放大器的原理第19-46页
 §3.1 两电平开关功率放大器的工作原理第19-25页
  3.1.1 开关效率与开关频率第21-22页
  3.1.2 电流变化率与系统动态指标第22-23页
  3.1.3 电流谐波第23-25页
 §3.2 开关功率放大器的组成第25-35页
  3.2.1 功放的换能电路第25-28页
  3.2.2 反馈电路第28页
  3.2.3 调制电路第28-35页
 §3.3 三电平开关功率放大器的设计第35-42页
  3.3.1 三电平PWM调制开关功放工作原理第35-38页
  3.3.2 全桥电流型PWM控制三电平功放原理第38-40页
  3.3.3 基于DSP的三电平开关功放系统设计第40-42页
 §3.4 大容量开关功率放大器的实现方案的对比第42-45页
  3.4.1 采用多个器件串并联实现大容量开关功放第42页
  3.4.2 采用多台小容量开关功放并联实现大容量开关功放第42-43页
  3.4.3 采用多重化主电路实现大容量开关功放第43-45页
 §3.5 本章小结第45-46页
第四章 功率放大器输出级第46-74页
 §4.1 主电路开关管的选型第46-47页
 §4.2 功率MOSFET、IGBT的工作原理第47-55页
  4.2.1 MOSFET的静态特性第48-50页
  4.2.2 MOSFET开关特性第50-52页
  4.2.3 漏源极的dV_(DS)/dt耐量第52-54页
  4.2.4 IGBT简介第54-55页
 §4.3 开关元件的安全工作区及其保护第55-59页
  4.3.1 开关元件的安全工作区第55-56页
  4.3.2 保护环节—R.C缓冲器第56-59页
 §4.4 功率MOSFET驱动设计第59-67页
  4.4.1 一般要求第59页
  4.4.2 MOSFET驱动电路第59-63页
  4.4.3 高压侧MOSFET的驱动要求第63页
  4.4.4 系统驱动方案第63-67页
 §4.5 用于H桥的快速二极管第67-69页
  4.5.1 二极管的正向恢复过程第68页
  4.5.2 二极管的反向恢复过程第68-69页
 §4.6 电磁轴承控制器的散热技术第69-73页
  4.6.1 功率器件发热损耗的计算方法第69-71页
  4.6.2 散热器的选择第71-73页
 §4.7 本章小结第73-74页
第五章 开关放大器系统设计与调试第74-87页
 §5.1 功放系统电源设计第74-78页
  5.1.1 电源参数设计第74-76页
  5.1.2 电源系统设计第76-78页
 §5.2 开关功放系统设计第78-82页
  5.2.1 电流传感器第80页
  5.2.2 系统功放散热设计第80-82页
 §5.3 开关功放系统整体调试与分析第82-86页
 §5.4 辅助轴承的定位第86-87页
第六章 结论与展望第87-89页
 §6.1 结论第87-88页
 §6.2 工作展望第88-89页
致谢第89-90页
参考文献第90-94页

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