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氢化碳化硅SinCnH2n(n=9-11)团簇及其掺杂的第一性原理研究

致谢第1-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-8页
目次第8-9页
第一章 绪论第9-13页
   ·团簇物理简介第9-10页
     ·团簇物理的研究范畴第9页
     ·团簇物理的研究方法及研究意义第9-10页
   ·氢化碳化硅团簇的研究背景和意义第10-12页
     ·碳化硅团簇的研究现状第11页
     ·氢化碳化硅团簇的研究意义第11-12页
   ·本论文的研究内容第12-13页
第二章 计算原理和方法简介第13-21页
   ·引言第13页
   ·第一性原理方法简介第13-16页
     ·Born-Oppenheimer近似和单电子近似第13-14页
     ·密度泛函理论(Density Functional Theory)第14-16页
   ·Dmol~3软件简介第16-21页
     ·能量求解和结构优化第16-19页
     ·Mulliken Population分析第19页
     ·谐振频率计算第19-20页
     ·本论文参数设定第20-21页
第三章 Si_nC_nH_(2n)(n=9-11)团簇的微观结构及稳定性研究第21-36页
   ·引言第21页
   ·结果与讨论第21-34页
     ·Si_nC_nH_(2n)(n=9-11)团簇的结构研究第21-28页
     ·Si_nC_nH_(2n)(n=9-11)团簇的稳定性研究第28-34页
   ·小结第34-36页
第四章 Si_nC_nH_(2n)(n=9-11)团簇的掺杂研究第36-49页
   ·引言第36页
   ·结果和讨论第36-47页
     ·TM@Si_nC_nH_(2n)(n=9-11)团簇的微观结构和稳定性研究第36-40页
     ·TM@Si_nC_nH_(2n)(n=9-11)团簇的电子结构及磁性研究第40-44页
     ·第二、三周期元素掺杂Si_(10)C_(10)H_(20)团簇的电、磁性质研究第44-47页
   ·小结第47-49页
参考文献第49-51页
攻读硕士期间完成的论文第51页

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