| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 论文创新点 | 第11-12页 |
| 目录 | 第12-18页 |
| 第1章 绪论 | 第18-43页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·ZnSe晶体的基本理化性质 | 第19-26页 |
| ·ZnSe晶体结构 | 第19-20页 |
| ·ZnSe的能带结构 | 第20-21页 |
| ·ZnSe的相图及热力学性质 | 第21-24页 |
| ·ZnSe的其它理化性质 | 第24-26页 |
| ·ZnSe单晶的生长技术及其研究现状 | 第26-32页 |
| ·熔体生长 | 第27-29页 |
| ·气相生长技术 | 第29-31页 |
| ·高温溶液生长技术 | 第31-32页 |
| ·固相再结晶技术(SPR) | 第32页 |
| ·ZnSe晶体材料的应用研究 | 第32-34页 |
| ·研究目标与课题来源 | 第34-35页 |
| ·研究内容 | 第35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-43页 |
| 第2章 ZnSe晶体气相生长控制原理与生长条件建立 | 第43-63页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·ZnSe晶体气相生长控制原理与理论 | 第43-46页 |
| ·物理气相传输技术(PVT)生长ZnSe晶体的控制原理 | 第43-45页 |
| ·化学气相输运剂技术(CVT)生长ZnSe晶体的控制原理 | 第45-46页 |
| ·晶体生长设备的设计与建造 | 第46-50页 |
| ·控温设备 | 第47页 |
| ·晶体生长炉设计 | 第47-50页 |
| ·ZnSe多晶合成结果与反应分析 | 第50-60页 |
| ·原料与反应器 | 第50页 |
| ·ZnSe多晶合成实验 | 第50-51页 |
| ·ZnSe多晶合成结果与机理探索 | 第51-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第3章 ZnSe晶体气相生长(一):以ZnSe多晶为源生长 | 第63-84页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·CVT生长ZnSe晶体的输运剂选择 | 第63-64页 |
| ·CVT生长ZnSe晶体实验 | 第64-65页 |
| ·原料、输运剂和测试仪器 | 第64-65页 |
| ·CVT晶体生长 | 第65页 |
| ·PVT生长ZnSe晶体实验 | 第65-67页 |
| ·实验方法 | 第65-66页 |
| ·PVT实验结果分析 | 第66-67页 |
| ·CVT生长的ZnSe晶体基本性能测试与表征 | 第67-76页 |
| ·晶体外观和生长习性 | 第67-69页 |
| ·晶体的成分 | 第69-70页 |
| ·晶体的结构特征和品质 | 第70-71页 |
| ·光致发光谱(PL谱) | 第71-72页 |
| ·晶体的缺陷 | 第72-73页 |
| ·吸收光谱特性 | 第73页 |
| ·红外透过性质 | 第73-74页 |
| ·荧光性质 | 第74-76页 |
| ·高输运剂浓度下CVT生长ZnSe体单晶的表征 | 第76-82页 |
| ·输运剂浓度为4.7mg／cm~3下的ZnSe单晶的表征 | 第77-79页 |
| ·输运剂Zn(NH_4)_3Cl_5对ZnSe多晶粉末原料的影响 | 第79-82页 |
| ·小结 | 第82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第4章 ZnSe晶体气相生长(二):由单质Zn和Se直接生长 | 第84-100页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·Zn和Se直接生长ZnSe单晶的实验设计与过程 | 第84-86页 |
| ·可行性分析 | 第84-85页 |
| ·晶体生长实验与测试仪器 | 第85-86页 |
| ·晶体的结构与特性 | 第86-92页 |
| ·结构与成份分析 | 第86-87页 |
| ·X射线摇摆曲线分析 | 第87-88页 |
| ·RO-XRD结果分析 | 第88-89页 |
| ·光致发光谱(PL谱) | 第89-90页 |
| ·缺陷分析 | 第90页 |
| ·吸收光谱和反射光谱特性 | 第90页 |
| ·荧光性质 | 第90-91页 |
| ·红外透过性质 | 第91-92页 |
| ·由Zn和Se直接生长ZnSe单晶的过程分析 | 第92-97页 |
| ·反应过程与控制分析 | 第92-94页 |
| ·Zn-Se-Zn(NH_4)_3Cl_5系统中ZnSe晶体形貌与生长机理讨论 | 第94-97页 |
| ·小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第5章 ZnSe晶体气相生长输运剂的热力学特点 | 第100-109页 |
| ·引言 | 第100页 |
| ·研究方法原理 | 第100-102页 |
| ·实验方法与结果 | 第102-104页 |
| ·热分解动力学计算 | 第104-106页 |
| ·结果分析与输运剂Zn(NH_4)_3Cl_5的评价 | 第106-107页 |
| ·小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-109页 |
| 第6章 气相生长ZnSe晶体的结晶质量分析 | 第109-120页 |
| ·引言 | 第109页 |
| ·实验原理与理论 | 第109-113页 |
| ·原理 | 第109-110页 |
| ·理论分析 | 第110-113页 |
| ·实验方法 | 第113-114页 |
| ·实验结果与讨论 | 第114-118页 |
| ·关于晶向偏离角φ的讨论 | 第118-119页 |
| ·小结 | 第119页 |
| 参考文献 | 第119-120页 |
| 第7章 ZnSe晶体的超快光学特性研究 | 第120-132页 |
| ·引言 | 第120页 |
| ·简并四波混频技术(DFWM)研究ZnSe晶体三阶非线性性质 | 第120-126页 |
| ·四波混频实验原理 | 第120-121页 |
| ·实验方法 | 第121-123页 |
| ·实验结果与分析 | 第123-126页 |
| ·ZnSe晶体的飞秒泵浦-探测研究 | 第126-130页 |
| ·实验原理 | 第126-128页 |
| ·实验方法与结果分析 | 第128-130页 |
| ·小结 | 第130页 |
| 参考文献 | 第130-132页 |
| 第8章 ZnSe晶体飞秒激发二次谐波与发光特性研究 | 第132-142页 |
| ·引言 | 第132页 |
| ·飞秒激光激发的二次谐波现象 | 第132-135页 |
| ·ZnSe二次谐波产生机理 | 第132-133页 |
| ·SHG实验 | 第133页 |
| ·实验结果与分析 | 第133-135页 |
| ·500-700nm宽带发光峰的研究 | 第135-139页 |
| ·发光时间分辨谱实验 | 第135-136页 |
| ·实验结果与分析 | 第136-139页 |
| ·小结 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-142页 |
| 第9章 ZnSe晶体电学性质研究 | 第142-148页 |
| ·引言 | 第142页 |
| ·ZnSe晶体降阻实验 | 第142页 |
| ·电极制备 | 第142-144页 |
| ·电学测试实验方法 | 第144页 |
| ·测试结果分析 | 第144-146页 |
| ·小结 | 第146-147页 |
| 参考文献 | 第147-148页 |
| 第10章 ZnSe纳米材料的制备与特点 | 第148-165页 |
| ·引言 | 第148页 |
| ·ZnSe纳米材料制备研究现状 | 第148-149页 |
| ·立方相ZnSe纳米材料制备实验 | 第149-154页 |
| ·一维ZnSe纳米材料制备实验 | 第149页 |
| ·ZnSe纳米微粒制备实验 | 第149-150页 |
| ·仪器与测试条件 | 第150页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第150-153页 |
| ·反应过程分析 | 第153-154页 |
| ·热分解法制备六方相ZnSe纳米晶 | 第154-161页 |
| ·热分解法制备六方相ZnSe纳米晶的研究方法 | 第154-155页 |
| ·六方相ZnSe纳米晶制备实验 | 第155-156页 |
| ·实验结果与纳米晶形成机理分析 | 第156-161页 |
| ·小结 | 第161-162页 |
| 参考文献 | 第162-165页 |
| 主要结论 | 第165-168页 |
| 在读学位期间发表的论文目录 | 第168-169页 |
| 致谢 | 第169-171页 |
