| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-12页 |
| ·现代无线通信系统与器件概况 | 第6-7页 |
| ·VCO与HBT器件发展现状 | 第7-8页 |
| ·HBT器件优点 | 第8-10页 |
| ·本论文研究目的 | 第10-12页 |
| 第二章 振荡器相位噪声分析 | 第12-22页 |
| ·频域分析 | 第12-16页 |
| ·相位噪声模型 | 第16-22页 |
| 第三章 GaInP／GaAs HBT器件工艺流程与测试 | 第22-33页 |
| ·HBT制作工艺流程 | 第23-26页 |
| ·HBT关键工艺研究 | 第26-30页 |
| ·DC和AC测试方法与结果 | 第30-33页 |
| 第四章 HBT器件参数提取方法与噪声特性研究 | 第33-49页 |
| ·HBT参数提取技术 | 第33-38页 |
| ·HBT噪声系数Z参数分析与仿真 | 第38-46页 |
| ·结果与分析 | 第46-49页 |
| 第五章 GaInP／GaAs HBT振荡器研究 | 第49-62页 |
| ·双推振荡器原理 | 第50-51页 |
| ·振荡器设计方法 | 第51-55页 |
| ·35GHz双推振荡器设计 | 第55-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-66页 |