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微波镜频抑制混频器的研究

第一章 绪论第1-14页
 1.1. 引言第12页
 1.2. 课题来源和指标要求第12-13页
 1.3. 本课题选择的意义第13-14页
第二章 混频二极管第14-22页
 2.1. 金属—半导体结二极管的工作原理第14-17页
  2.1.1. 逸出功第15页
  2.1.2. 金属—半导体结(M-S结)的能带结构第15-17页
 2.2. 金属—半导体结二极管的伏安特性和性能参数第17-22页
  2.2.1. 伏安特性第17-19页
  2.2.2. 变频损耗第19页
  2.2.3. 截止频率第19-20页
  2.2.4. 噪声温度比第20-21页
  2.2.5. 中频阻抗第21-22页
第三章 微波混频器的工作原理和性能分析第22-35页
 3.1. 混频原理第22-26页
 3.2. 微波混频器的主要性能参数第26-35页
  3.2.1. 变频损耗第26-29页
   3.2.1.1. 净变频损耗第27-28页
   3.2.1.2. 寄生参量损耗第28-29页
   3.2.1.3. 失配损耗第29页
  3.2.2. 噪声系数第29-33页
  3.2.3. 信号—本振端口隔离度第33页
  3.2.4. 动态范围第33-35页
第四章 微波混频器的基本电路形式第35-43页
 4.1. 单端混频器第35-36页
 4.2. 平衡混频器第36-40页
 4.3. 双平衡混频器第40-43页
第五章 混频器参数的测量第43-46页
 5.1. 混频管微波阻抗的测量第43-44页
 5.2. 混频器变频损耗的测量第44页
 5.3. 混频器噪声系数的测量第44-46页
第六章 镜频抑制混频器第46-66页
 6.1. 镜频抑制混频器理论、电路形式第46-52页
  6.1.1. 滤波器式的镜频抑制混频器第46-47页
  6.1.2. 相位平衡式的镜频抑制混频器第47-50页
  6.1.3. 镜频回收混频器第50-52页
 6.2. 实际电路的设计第52-63页
  6.2.1. 同相功分器的设计第52-54页
  6.2.2. 射频90°功分器的设计第54-57页
  6.2.3. 单平衡混频器的设计第57-60页
  6.2.4. 中频90°功分器的设计第60-61页
  6.2.5. 电路整体的优化第61-63页
 6.3. 实验结果与测试指标第63-66页
第七章 总结第66-68页
 7.1、 所做的工作第66页
 7.2、 本论文的新见解第66-67页
 7.3、 结束语第67-68页
参考文献第68-70页

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