| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-31页 |
| 1．1 低碳烷烃活化和转化研究的意义 | 第11页 |
| 1．2 低碳烷烃的活化和转化 | 第11-14页 |
| 1．3 低碳烷烃的芳构化反应 | 第14-22页 |
| 1．3．1 低碳烷烃芳构化反应研究的意义 | 第14页 |
| 1．3．2 低碳烷烃芳构化反应的热力学分析 | 第14-16页 |
| 1．3．3 C_2～C_5烷烃的芳构化 | 第16-17页 |
| 1．3．4 甲烷芳构化 | 第17-21页 |
| 1．3．5 低碳烷烃在HZSM-5基催化剂上芳构化反应的活性位和反应机理 | 第21-22页 |
| 1．4 Mo／HZSM-5上低碳烷烃芳构化反应研究中的问题与本论文研究的出发点 | 第22-24页 |
| 1．5 论文的目的与构思 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 实验方法 | 第31-37页 |
| 2．1 催化剂样品的制备 | 第31页 |
| 2．2 反应活性的评价 | 第31-34页 |
| 2．3 表征 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第一部分 MoCx／HZSM-5催化剂上甲烷的芳构化反应研究 | 第37-100页 |
| 第三章 氧化剂存在下Mo／HZSM-5上甲烷的芳构化反应 | 第38-68页 |
| 3．1 引言 | 第38-39页 |
| 3．2 Mo／HZSM-5上甲烷的无氧芳构化反应 | 第39-40页 |
| 3．3 氧气存在下Mo／HZSM-5上甲烷的芳构化反应 | 第40-49页 |
| 3．4 甲烷芳构化反应的紫外拉曼光谱研究 | 第49-58页 |
| 3．5 钼物种在甲烷芳构化反应中的作用 | 第58-60页 |
| 3．6 氧气在甲烷芳构化反应中的作用 | 第60-64页 |
| 3．7 N_2O存在下Mo／HZSM-5催化剂的甲烷芳构化反应性能 | 第64页 |
| 3．8 氧化剂存在下改性Mo／HZSM-5催化剂的甲烷芳构化反应性能 | 第64-65页 |
| 3．9 小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第四章 MoO_3／HZSM-5催化剂的表征 | 第68-100页 |
| 4．1 引言 | 第68页 |
| 4．2 MoO_3／HZSM-5的预处理 | 第68-69页 |
| 4．3 原子吸收光谱结果 | 第69-72页 |
| 4．4 升温处理过程中MoO_3／HZSM-5上钼物种形态的变化 | 第72-84页 |
| 4．5 升温处理过程中MoO_3／HZSM-5上的其它变化 | 第84-89页 |
| 4．6 升温前H_2还原MoO_3/HZSM-5的作用 | 第89-98页 |
| 4．7 小结 | 第98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第二部分 MoCx／HZSM-5催化剂上丁烷的芳构化反应研究 | 第100-149页 |
| 第五章 正丁烷在不同钼物种Mo／HZSM-5上的转化 | 第101-127页 |
| 5．1 引言 | 第101-103页 |
| 5．2 MoO_3／HZSM-5的还原 | 第103页 |
| 5．3 丁烷在M003／HZSM-5和MoOx／HZSM-5上的转化 | 第103-106页 |
| 5．4 反应温度对MoOx／HZSM-5上丁烷转化的影响 | 第106-113页 |
| 5．5 丁烷在不同条件下反应后Mo／HZSM-5样品的XRD结果 | 第113-119页 |
| 5．6 丁烷在不同钼物相Mo／HZSM-5上的转化 | 第119-124页 |
| 5．7 预还原和预炭化的MoO_3／HZSM-5的丁烷芳构化反应性能 | 第124页 |
| 5．8 丁烷在不同钼担载量MoOx／HZSM-5上的芳构化反应 | 第124-125页 |
| 5．9 小结 | 第125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 第六章 Mo_2C／HZSM-5的制备及其丁烷芳构化性能 | 第127-147页 |
| 6．1 引言 | 第127-128页 |
| 6．2 α-Mo_2C／HZSM-5的制备 | 第128-131页 |
| 6．3 α-Mo_2C／HZSM-5的进一步优化 | 第131-132页 |
| 6．4 气氛对α-Mo_C／HZSM-5上α-Mo_2C的稳定性的影响 | 第132-136页 |
| 6．5 Mo_2C／HZSM-5的丁烷芳构化性能 | 第136-145页 |
| 6．6 小结 | 第145页 |
| 参考文献 | 第145-147页 |
| 第七章 结论 | 第147-149页 |
| 已发表和待发表文章目录 | 第149-150页 |
| 致谢 | 第150页 |
