电荷俘获型存储器模型及模拟研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 电荷俘获型存储器概况 | 第10-19页 |
| ·基于浮栅的Flash结构 | 第11-13页 |
| ·工作原理 | 第11页 |
| ·存在的问题 | 第11-13页 |
| ·电荷俘获型存储器 | 第13-19页 |
| ·发展历史 | 第14-16页 |
| ·工作原理 | 第16-17页 |
| ·电荷存储机制 | 第17-18页 |
| ·一些相关概念 | 第18-19页 |
| 第二章 CTM存储器各功能层研究进展 | 第19-34页 |
| ·高κ材料 | 第19-20页 |
| ·隧穿层 | 第20-25页 |
| ·CRESTED结构 | 第21-22页 |
| ·VARIOT结构 | 第22-25页 |
| ·存在的问题 | 第25页 |
| ·存储层 | 第25-27页 |
| ·氮化硅(Si_3N_4)存储层 | 第25页 |
| ·高κ存储层 | 第25-27页 |
| ·阻挡层 | 第27-34页 |
| ·单层阻挡层 | 第29-32页 |
| ·阻挡层能带工程 | 第32-34页 |
| 第三章 CTM器件物理与模型 | 第34-53页 |
| ·衬底载流子与表面空间电荷区 | 第34-38页 |
| ·衬底载流子浓度的确定 | 第34-36页 |
| ·衬底表面空间电荷区 | 第36-38页 |
| ·隧穿模型 | 第38-41页 |
| ·WKB近似 | 第38-40页 |
| ·Fowler-Nordheim隧穿 | 第40页 |
| ·直接隧穿 | 第40页 |
| ·修正的Fowler-Nordheim隧穿 | 第40-41页 |
| ·陷阱辅助隧穿 | 第41页 |
| ·存储层陷阱模型 | 第41-44页 |
| ·氮化硅材料特性 | 第42-43页 |
| ·两性陷阱模型 | 第43-44页 |
| ·存储层载流子的输运 | 第44-46页 |
| ·Poisson方程 | 第44页 |
| ·迁移率表达式 | 第44-45页 |
| ·漂移扩散方程 | 第45-46页 |
| ·连续性方程 | 第46页 |
| ·存储层载流子的俘获 | 第46-48页 |
| ·陷阱的能级和空间分布 | 第46-47页 |
| ·陷阱占据率 | 第47-48页 |
| ·陷阱中的载流子释放 | 第48-53页 |
| ·Poole-Frenkel效应 | 第48-51页 |
| ·Trap-to-band tunneling | 第51-53页 |
| 第四章 数学处理 | 第53-58页 |
| ·偏微分方程的数值解法 | 第53-55页 |
| ·有限差分法 | 第53-54页 |
| ·有限体积法 | 第54-55页 |
| ·离散方程的迭代求解 | 第55-58页 |
| 第五章 模拟与结果分析 | 第58-74页 |
| ·完整的电流密度 | 第58-60页 |
| ·数值求解 | 第60-63页 |
| ·模拟程序的初步验证 | 第63-64页 |
| ·存储器编程特性的模拟 | 第64-69页 |
| ·隧穿层厚度对编程特性的影响 | 第66-67页 |
| ·空穴对编程特性的影响 | 第67页 |
| ·温度对编程特性的影响 | 第67-69页 |
| ·存储器擦除特性的模拟 | 第69-71页 |
| ·TANOS结构的擦除特性 | 第69-70页 |
| ·陷阱能级深度对擦除特性的影响 | 第70-71页 |
| ·存储器数据保持特性的模拟 | 第71-74页 |
| 第六章 总结与工作展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 在学期间的研究成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
