| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| ·多孔氧化硅发光材料研究背景及意义 | 第10-12页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第12-15页 |
| ·电化学腐蚀法(Anodic Etching) | 第12-13页 |
| ·光化学腐蚀法(Photochemical Etching) | 第13-14页 |
| ·化学染色腐蚀法(Stain Etching) | 第14页 |
| ·其他制备方法 | 第14-15页 |
| ·形成机理 | 第15-16页 |
| ·Beale模型 | 第15页 |
| ·扩散限制模型 | 第15-16页 |
| ·量子限制模型 | 第16页 |
| ·多孔硅的研究方法 | 第16-17页 |
| ·多孔硅的性质 | 第17-19页 |
| ·多孔硅的结构形貌 | 第17-18页 |
| ·多孔硅的发光性质 | 第18-19页 |
| ·应用 | 第19-20页 |
| ·本论文研究的目的、意义和主要研究内容 | 第20-24页 |
| ·论文研究的目的与意义 | 第20-22页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验与测试 | 第24-30页 |
| ·实验原料 | 第24页 |
| ·实验装置 | 第24-25页 |
| ·磁控溅射装置 | 第24页 |
| ·磁力搅拌器 | 第24页 |
| ·热处理炉 | 第24-25页 |
| ·多孔氧化硅的制备技术与工艺路线 | 第25-27页 |
| ·硅片的预处理 | 第26页 |
| ·磁控溅射镀Fe_(78)Si_(10)B_(12)合金薄膜 | 第26页 |
| ·制备多孔氧化硅样品 | 第26-27页 |
| ·测试设备 | 第27-30页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| ·截面形貌(TEM) | 第28页 |
| ·成分分析(EDAX) | 第28页 |
| ·光致发光性能(PL) | 第28-29页 |
| ·表面键分析(FTIR) | 第29-30页 |
| 第3章 制备条件对形貌的影响及其形成机理分析 | 第30-43页 |
| ·MACRE法的刻蚀条件对多孔氧化硅形貌的影响 | 第30-37页 |
| ·刻蚀剂成分对形貌的影响 | 第30-33页 |
| ·刻蚀时间对形貌的影响 | 第33-37页 |
| ·PSN结构的各向异性 | 第37页 |
| ·形成机理分析 | 第37-41页 |
| ·刻蚀过程中的化学反应 | 第38-39页 |
| ·刻蚀的初始表面 | 第39页 |
| ·PSN凹凸结构的形成 | 第39-41页 |
| ·多孔氧化硅凹凸结构可能的应用前景 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 多孔氧化硅的光致发光特性 | 第43-62页 |
| ·光致发光 | 第43-44页 |
| ·多孔硅的发光机理模型 | 第44-47页 |
| ·量子限制效应(QCE) | 第44-45页 |
| ·本征表面态模型 | 第45页 |
| ·量子限制/发光中心模型 | 第45-46页 |
| ·与氧有关的缺陷发光中心模型 | 第46-47页 |
| ·多孔氧化硅的光致发光 | 第47-61页 |
| ·刻蚀液浓度对多孔氧化硅PL谱的影响 | 第47-51页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·表面形貌 | 第48-49页 |
| ·光致发光现象 | 第49-51页 |
| ·刻蚀时间对多孔氧化PL谱的影响 | 第51-53页 |
| ·实验 | 第51页 |
| ·表面形貌 | 第51-52页 |
| ·光致发光现象 | 第52-53页 |
| ·自然氧化对PSN发光的影响 | 第53-54页 |
| ·结果讨论 | 第54-55页 |
| ·热处理对PSN发光性能的影响 | 第55-61页 |
| ·实验 | 第55页 |
| ·热处理后PSN的光致荧光谱 | 第55-56页 |
| ·热处理后表面键分析 | 第56-57页 |
| ·热处理后PSN的光致发光激发谱 | 第57页 |
| ·实验结果讨论 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·研究工作的展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69页 |