| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·铁电体和铁电薄膜 | 第10-12页 |
| ·铁电体和铁电薄膜概述 | 第10-11页 |
| ·铁电薄膜的应用 | 第11-12页 |
| ·铁电薄膜中的极化反转与畴结构 | 第12-18页 |
| ·自发极化和畴 | 第12-14页 |
| ·极化反转过程 | 第14-15页 |
| ·畴结构的研究现状 | 第15-16页 |
| ·畴结构的研究意义 | 第16-18页 |
| ·相场理论研究畴变过程 | 第18-19页 |
| ·相场方法 | 第18页 |
| ·影响畴结构变化的主要因素 | 第18-19页 |
| ·本文的选题背景和研究内容 | 第19页 |
| ·本文的结构安排 | 第19-21页 |
| 第2章 电载荷下钛酸铋畴结构演化及铁电性能 | 第21-31页 |
| ·相场理论模型 | 第21-22页 |
| ·钛酸铋二维畴结构的模拟 | 第22-25页 |
| ·参数的选择 | 第23页 |
| ·问题的描述及数值模拟的方法 | 第23-25页 |
| ·外加电场对铁电性能的影响 | 第25-30页 |
| ·原型畴结构的形成 | 第25-27页 |
| ·外加正弦电场作用下的极化反转 | 第27-29页 |
| ·频率与极化强度的关系 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 力电载荷下钛酸铋的畴结构演化及铁电性能 | 第31-39页 |
| ·考虑弹性应变能相场理论模型 | 第31-33页 |
| ·内应力产生的原因 | 第31页 |
| ·弹性应变能对畴结构稳定性的影响 | 第31-33页 |
| ·应力/应变作用下二维畴结构的模拟 | 第33页 |
| ·问题的描述 | 第33页 |
| ·参数的选择 | 第33页 |
| ·外加应力/应变对铁电及电致伸缩性能的影响 | 第33-37页 |
| ·应变作用下畴结构的演化 | 第33-36页 |
| ·应力对电滞回线和蝶形曲线的影响 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 基于TDGL方程的铁电薄膜电容器印记失效分析 | 第39-50页 |
| ·铁电存储器中的印记失效 | 第39-41页 |
| ·TDGL方程描述的具有界面层的铁电薄膜电容器印记失效模型 | 第41-43页 |
| ·界面层对铁电薄膜电容器铁电性能的影响 | 第43-48页 |
| ·各层中的铁电性能 | 第43-45页 |
| ·极化与电场的时间空间分布 | 第45-46页 |
| ·不同厚度比对电滞回线的影响 | 第46-47页 |
| ·与BIT薄膜电滞回线的对比情况 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第57页 |