| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-29页 |
| 第一节 引言 | 第8-9页 |
| 第二节 紫外探测器的分类 | 第9-16页 |
| 第三节 宽禁带半导体紫外探测器 | 第16-21页 |
| 第四节 本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第二章 TiO_2薄膜的制备与表征 | 第29-56页 |
| 第一节 引言 | 第29-36页 |
| ·Ti02 薄膜的晶体结构 | 第29-33页 |
| ·纳米Ti02 的制备方法 | 第33-34页 |
| ·纳米Ti02 的用途 | 第34-36页 |
| 第二节 TiO_2薄膜的制备 | 第36-40页 |
| 第三节 TiO_2薄膜的表征 | 第40-49页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第40-42页 |
| ·紫外吸收谱(UV-Vis) | 第42-44页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第44-45页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第45-48页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第48-49页 |
| 第四节 组分掺杂TiO_2材料的制备与表征 | 第49-52页 |
| 第五节 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第三章 TiO_2金属-半导体接触 | 第56-86页 |
| 第一节 金属-半导体接触的理论 | 第56-72页 |
| ·肖特基势垒的起源[12-17] | 第56-61页 |
| ·肖特基势垒的电流输运理论 | 第61-62页 |
| ·肖特基势垒的电流电压特性 | 第62-68页 |
| ·肖特基势垒电容 | 第68-69页 |
| ·欧姆接触 | 第69-72页 |
| 第二节 TiO_2/金属器件的制备与性能测试 | 第72-82页 |
| ·器件的制作工艺 | 第72-75页 |
| ·测试与结果分析 | 第75-82页 |
| 第三节 本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 TiO_2紫外探测器的制作与性能测试 | 第86-109页 |
| 第一节 探测器的工作原理及主要参数 | 第87-94页 |
| ·光导型探测器的基本原理及主要参数 | 第87-93页 |
| ·光伏型探测器的基本原理及主要参数 | 第93-94页 |
| 第二节 AU/TiO_2/AU结构紫外探测器的制作与测试 | 第94-102页 |
| ·探测器的制作 | 第94-96页 |
| ·器件性能测试 | 第96-102页 |
| 第三节 NI/TiO_2/NI 结构紫外光探测器 | 第102-104页 |
| 第四节 其他器件的性能分析 | 第104-105页 |
| ·Cr/TiO_2/Cr 器件 | 第104页 |
| ·组分掺杂器件 | 第104-105页 |
| 第五节 本章小结 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第五章 结论 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 发表文章 | 第112-115页 |
| 中文摘要 | 第115-118页 |
| ABSTRACT | 第118-121页 |