| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 1 文献综述 | 第10-27页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO 薄膜的结构与性能 | 第10-15页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO 的光电特性 | 第13-14页 |
| ·ZnO 的其他性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO 薄膜的缺陷和掺杂 | 第15-21页 |
| ·ZnO 的缺陷 | 第15-16页 |
| ·ZnO 的n 型掺杂 | 第16页 |
| ·ZnO 的p 型掺杂 | 第16-21页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第21-23页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第23-25页 |
| ·发光器件 | 第23页 |
| ·紫外光电探测器 | 第23-24页 |
| ·太阳能电池 | 第24页 |
| ·制作光电器件的单片集成 | 第24页 |
| ·ZnO 材料的其他应用 | 第24-25页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及创新点 | 第25-27页 |
| ·立题依据 | 第25页 |
| ·研究内容 | 第25-26页 |
| ·本文的创新点 | 第26-27页 |
| 2 实验设备、过程及性能表征 | 第27-39页 |
| ·射频磁控溅射 | 第27-30页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第28-30页 |
| ·溅射镀膜的主要特点 | 第30页 |
| ·离子注入技术 | 第30-34页 |
| ·离子注入的基本原理及装置简介 | 第31-32页 |
| ·入射离子在靶中的浓度分布 | 第32-34页 |
| ·离子注入技术的特点 | 第34页 |
| ·退火(热处理) | 第34-35页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第35-37页 |
| ·靶材制备与衬底清洗 | 第35-36页 |
| ·薄膜制备工艺流程 | 第36-37页 |
| ·薄膜制备参数 | 第37页 |
| ·薄膜性能表征 | 第37-39页 |
| 3 N-In 共掺ZnO 薄膜的p 型特性 | 第39-51页 |
| ·N-In 共掺p-ZnO 薄膜的晶体质量 | 第39-41页 |
| ·N-In 共掺p-ZnO 薄膜中元素成分的XPS 分析 | 第41-43页 |
| ·N-In 共掺p-ZnO 薄膜的电学特性 | 第43-46页 |
| ·N-In 共掺p-ZnO 薄膜的光学特性 | 第46-48页 |
| ·N-In 共掺ZnO 同质p-n 结的制备 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 4 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |