高电压强电流下GaAs光电导开关的损伤及寿命分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·光电导开关的发展历史 | 第9-10页 |
| ·光电导开关的应用前景 | 第10-11页 |
| ·光电导开关的基本结构 | 第11-13页 |
| ·光电导开关的两种工作模式 | 第13-15页 |
| ·光电导开关的线性工作模式及其特性 | 第13-14页 |
| ·光电导开关的非线性工作模式及其特性 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 2 光电导开关的制作 | 第17-29页 |
| ·光电导开关芯片材料的选取 | 第17-18页 |
| ·光电导开关的绝缘封装 | 第18-19页 |
| ·光电导开关电极的设计 | 第19-21页 |
| ·电极间隙的设计 | 第19-20页 |
| ·电极结构的设计 | 第20页 |
| ·电极刻蚀的设计 | 第20-21页 |
| ·欧姆接触的机理 | 第21-25页 |
| ·金属和半导体接触 | 第21-23页 |
| ·电流输运机理 | 第23-25页 |
| ·光电导开关的制备工艺 | 第25-27页 |
| ·掺杂工艺 | 第25页 |
| ·金属化工艺 | 第25-26页 |
| ·退火工艺 | 第26-27页 |
| ·电极欧姆接触的判定 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 光电导开关损伤机理的研究 | 第29-40页 |
| ·光电导开关的击穿类型 | 第29页 |
| ·影响开关击穿的因素 | 第29-31页 |
| ·暗态条件下的击穿 | 第31-32页 |
| ·不可恢复性损伤 | 第32-36页 |
| ·电损伤机理 | 第32-34页 |
| ·热损伤机理 | 第34-35页 |
| ·光损伤机理 | 第35-36页 |
| ·可恢复性损伤 | 第36-38页 |
| ·电极损伤的机理分析 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 4 光电导开关的寿命分析 | 第40-55页 |
| ·器件寿命的衡量标准 | 第40页 |
| ·光电导开关的寿命实验 | 第40-42页 |
| ·丝状电流性质的分析 | 第42-46页 |
| ·丝状电流密度及分布 | 第42-44页 |
| ·光电导开关的流注理论 | 第44-45页 |
| ·流注理论对丝状电流性质的分析 | 第45-46页 |
| ·开关损伤的寿命分析 | 第46-48页 |
| ·开关损伤的类型 | 第46-47页 |
| ·提高开关寿命的方案 | 第47-48页 |
| ·光电导开关和气体开关结合的组合开关 | 第48-51页 |
| ·单一光电导开关实验 | 第49页 |
| ·光电导开关和气体开关的组合开关实验 | 第49-50页 |
| ·光电导开关和气体开关的组合开关的机理分析 | 第50-51页 |
| ·双层光电导开关串联的组合开关 | 第51-54页 |
| ·单层光电导开关实验 | 第51-52页 |
| ·双层光电导开关串联的组合开关实验 | 第52-53页 |
| ·双层光电导开关串联的组合开关的机理分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 结论及工作展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| ·工作展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 | 第62页 |
