| 中文摘要 | 第1-16页 |
| ABSTRACT | 第16-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-41页 |
| 第一节 酞菁类配合物简介 | 第22-27页 |
| 第二节 单层酞菁类化合物分子结构和性质关系研究进展 | 第27-30页 |
| 第三节 双层酞菁类化合物分子结构和性质关系及其半导体性质研究进展 | 第30-34页 |
| 参考文献 | 第34-41页 |
| 第二章 烷氧基取代基链长、中心金属离子以及轴向配体对单层酞菁配合物的结构和性质的影响 | 第41-95页 |
| 第一节 1,8,15,22-四取代酞菁铅的结构和性质以及取代基效应的密度泛函理论研究 | 第41-60页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·计算细节 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-56页 |
| ·结论 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 第二节 第四主族金属酞菁配合物结构和性质以及金属离子和轴向配体对其影响的密度泛函理论研究 | 第60-80页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·实验部分和计算细节 | 第61-62页 |
| ·结果和讨论 | 第62-75页 |
| ·结论 | 第75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 第三节 第四主族金属酞菁配合物中电子吸收光谱的含时密度泛函理论研究 | 第80-95页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·实验和计算细节 | 第81页 |
| ·结果和讨论 | 第81-90页 |
| ·结论 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第三章 三明治型双层酞菁及混杂酞菁卟啉稀土配合物结构和光谱性质的密度泛函理论研究 | 第95-171页 |
| 第一节 三明治型对称双层酞菁稀土配合物结构和光谱性质的密度泛函理论研究 | 第95-116页 |
| ·引言 | 第95-96页 |
| ·实验和计算细节 | 第96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-111页 |
| ·结论 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 第二节 烷氧基取代的三明治型混杂双层酞箐稀土配合物结构和光谱性质的密度泛函理论研究 | 第116-146页 |
| ·引言 | 第116-117页 |
| ·计算细节 | 第117-118页 |
| ·结果与讨论 | 第118-141页 |
| ·结论 | 第141页 |
| 参考文献 | 第141-146页 |
| 第三节 三明治型混杂酞菁卟啉稀土配合物结构和光谱性质的密度泛函理论研究:空穴和质子位置探讨 | 第146-171页 |
| ·引言 | 第146-147页 |
| ·计算细节和实验 | 第147-148页 |
| ·结果和讨论 | 第148-167页 |
| ·结论 | 第167页 |
| 参考文献 | 第167-171页 |
| 第四章 三明治型双层酞菁配合物有机场效应晶体管半导体性质的密度泛函理论研究 | 第171-218页 |
| 第一节 一种从p型有机场效应晶体管半导体材料到双极性有机场效应晶体管半导体材料的合理设计方法 | 第171-195页 |
| ·引言 | 第171-173页 |
| ·计算方法和计算细节 | 第173-175页 |
| ·结果和讨论 | 第175-188页 |
| ·结论 | 第188页 |
| 参考文献 | 第188-195页 |
| 第二节 三明治型双层酞菁稀土配合物的电荷传输性质:内存的双极性有机场效应晶体管半导体材料 | 第195-218页 |
| ·引言 | 第195-197页 |
| ·计算方法及计算细节 | 第197-199页 |
| ·结果与讨论 | 第199-213页 |
| ·结论 | 第213页 |
| 参考文献 | 第213-218页 |
| 致谢 | 第218-219页 |
| 博士期间发表的论文 | 第219-226页 |
| 外文论文 | 第226-331页 |
