| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-47页 |
| ·序言 | 第11-13页 |
| ·一维纳米材料的研究 | 第13-26页 |
| ·一维纳米材料 | 第14-15页 |
| ·一维纳米材料的制备 | 第15-22页 |
| ·一维纳米材料的性能及其应用 | 第22-26页 |
| ·一维SiC纳米材料的研究 | 第26-33页 |
| ·SiC材料的基本性质 | 第27页 |
| ·一维SiC纳米材料的制备 | 第27-33页 |
| ·稀土掺杂纳米发光材料的研究 | 第33-38页 |
| ·稀土元素的简介 | 第33页 |
| ·稀土发光特性及原理 | 第33-36页 |
| ·稀土掺杂纳米材料的研究进展 | 第36-38页 |
| ·本论文选题的背景和研究内容 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40页 |
| 参考文献 | 第40-47页 |
| 第二章 SiC纳米材料的制备原理及其表征方法 | 第47-87页 |
| ·序言 | 第47页 |
| ·电纺丝技术 | 第47-68页 |
| ·电纺丝概述 | 第47-48页 |
| ·电纺丝原理 | 第48-52页 |
| ·电纺丝参数 | 第52-54页 |
| ·电纺丝装置 | 第54-55页 |
| ·电纺丝的发展史 | 第55-57页 |
| ·电纺丝的应用前景 | 第57-68页 |
| ·射频溅射技术 | 第68-74页 |
| ·溅射概述 | 第68-69页 |
| ·溅射基本原理 | 第69-72页 |
| ·溅射参数 | 第72-73页 |
| ·溅射装置 | 第73-74页 |
| ·工艺参数 | 第74页 |
| ·样品表征方法 | 第74-79页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第74-75页 |
| ·透射电子显微镜 | 第75-76页 |
| ·X射线衍射 | 第76页 |
| ·拉曼光谱 | 第76-77页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第77页 |
| ·荧光光谱 | 第77-78页 |
| ·场发射测试 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 第三章 SiC和Tb掺杂的SiC纳米管的制备与性能研究 | 第87-103页 |
| ·序言 | 第87-88页 |
| ·SiC纳米管的制备与性能研究 | 第88-95页 |
| ·SiC纳米管的制备 | 第88-90页 |
| ·SiC纳米管的形貌表征 | 第90-91页 |
| ·SiC纳米管的的结构与成分 | 第91-93页 |
| ·SiC纳米管的光致发光行为 | 第93页 |
| ·SiC纳米管的场发射行为 | 第93-95页 |
| ·Tb掺杂的SiC纳米管的制备与性能研究 | 第95-98页 |
| ·SiC:Tb纳米管的制备 | 第95-96页 |
| ·SiC:Tb纳米管的形貌表征 | 第96页 |
| ·SiC:Tb纳米管的结构与成分 | 第96-97页 |
| ·SiC:Tb纳米管的光致发光行为 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 第四章 SiC及Tb掺杂SiC纳米纤维的制备与性能研究 | 第103-121页 |
| ·序言 | 第103-104页 |
| ·SiC纳米纤维的制备与性能研究 | 第104-108页 |
| ·SiC纳米纤维的制备 | 第104页 |
| ·SiC纳米纤维的形貌表征 | 第104-106页 |
| ·SiC纳米纤维的结构和成分 | 第106-107页 |
| ·SiC纳米纤维的光致发光行为 | 第107-108页 |
| ·Tb掺杂SiC纳米纤维的制备与性能研究 | 第108-116页 |
| ·SiC:Tb纳米纤维的制备 | 第108-109页 |
| ·SiC:Tb纳米纤维的结构和成分 | 第109-110页 |
| ·SiC:Tb纳米纤维的形貌表征 | 第110-113页 |
| ·SiC:Tb纳米纤维的光致发光行为 | 第113-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-121页 |
| 第五章 选择区域生长的SiC纳米棒的制备与性能研究 | 第121-135页 |
| ·序言 | 第121页 |
| ·选择区域生长的SiC纳米棒的制备 | 第121-122页 |
| ·材料 | 第121-122页 |
| ·制备程序 | 第122页 |
| ·选择区域生长的SiC纳米棒的结构与成分 | 第122-123页 |
| ·选择区域生长的SiC纳米棒的形貌表征 | 第123-124页 |
| ·选择区域生长的SiC纳米棒的生长研究 | 第124-129页 |
| ·SiC纳米棒的选择区域生长 | 第124-126页 |
| ·SiC纳米棒的生长机制 | 第126-127页 |
| ·SiC纳米棒的优化生长条件 | 第127-129页 |
| ·选择区域生长的SiC纳米棒的光致发光行为 | 第129-130页 |
| ·选择区域生长的SiC纳米棒的场发射行为 | 第130-131页 |
| ·本章小结 | 第131页 |
| 参考文献 | 第131-135页 |
| 第六章 总结与展望 | 第135-139页 |
| ·主要结论 | 第135-137页 |
| ·展望 | 第137-139页 |
| 在学期间的研究成果 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141-143页 |
| 附录 | 第143-145页 |
