Sb掺杂ZnO薄膜的制备及光学性能研究
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO 薄膜的结构与性质 | 第10-12页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第12-14页 |
| ·分子束外延法 | 第12页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第12-13页 |
| ·激光脉冲沉积法 | 第13页 |
| ·喷雾热分解法 | 第13页 |
| ·磁控溅射 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光研究状况 | 第14-16页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第16-17页 |
| ·发光器件 | 第16-17页 |
| ·压电方面的应用 | 第17页 |
| ·气敏传感器 | 第17页 |
| ·Sb 掺杂ZnO 纳米材料的研究进展 | 第17-21页 |
| ·Sb 掺杂ZnO 纳米材料的电学性质 | 第17-18页 |
| ·Sb 掺杂ZnO 纳米材料的光学性质 | 第18-20页 |
| ·Sb 掺杂ZnO 纳米材料的气敏效应 | 第20-21页 |
| ·Sb 掺杂P 型ZnO | 第21页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及目的 | 第21-23页 |
| ·立题依据 | 第21-22页 |
| ·研究内容及目的 | 第22-23页 |
| 2 ZnO/ZnO:Sb 薄膜的制备与性能表征 | 第23-33页 |
| ·磁控溅射简介 | 第23-26页 |
| ·射频溅射 | 第24-25页 |
| ·反应溅射 | 第25-26页 |
| ·薄膜的制备 | 第26-27页 |
| ·射频磁控溅射装置 | 第26页 |
| ·靶材及衬底的准备 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射操作规程 | 第27页 |
| ·退火(热处理) | 第27-28页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第28-33页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第28-29页 |
| ·X 射线衍射 | 第29页 |
| ·双光束紫外-可见分光光度计 | 第29-31页 |
| ·光致荧光光谱的测试 | 第31-33页 |
| 3 ZnO/ZnO:Sb 薄膜的结构及光学带隙 | 第33-46页 |
| ·薄膜最佳制备条件的确定 | 第33页 |
| ·ZnO/ZnO：Sb 薄膜的制备参数 | 第33-34页 |
| ·ZnO/ZnO：Sb 薄膜的结构性能分析 | 第34-38页 |
| ·氧浓度对ZnO：Sb 薄膜沉积速率的影响 | 第34-35页 |
| ·ZnO/ZnO：Sb 薄膜的结晶性能 | 第35-38页 |
| ·ZnO/ZnO：Sb 薄膜的透光性 | 第38-41页 |
| ·氧浓度及温度对ZnO 薄膜透射率的影响 | 第38-39页 |
| ·氧浓度及温度对ZnO：Sb 薄膜透射率的影响 | 第39-41页 |
| ·ZnO/ZnO：Sb 薄膜的光学带隙 | 第41-45页 |
| ·ZnO 薄膜的光学带隙 | 第41-42页 |
| ·ZnO：Sb 薄膜的光学带隙 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 ZnO/ZnO:Sb 薄膜的光致发光 | 第46-59页 |
| ·半导体光学性质简介 | 第46-48页 |
| ·带-带跃迁发光 | 第46页 |
| ·激子发光 | 第46-47页 |
| ·非本征发光 | 第47-48页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光 | 第48-51页 |
| ·ZnO：Sb 薄膜的光致发光 | 第51-56页 |
| ·P 系列ZnO：Sb 薄膜的光致发光 | 第51-55页 |
| ·S 系列ZnO：Sb 薄膜的光致发光 | 第55-56页 |
| ·ZnO 绿光发射机理 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 5 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录 A：作者攻读硕士学位期间发表的论文情况 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
