射频等离子体放电制备DLC/Mo-DLC膜的性质研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-21页 |
| ·DLC 膜概述 | 第9-10页 |
| ·DLC 膜的结构 | 第10-12页 |
| ·DLC 膜生长机理 | 第12-13页 |
| ·DLC 膜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·等离子体增强的化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| ·离子束沉积（IBD）技术 | 第15页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第15-16页 |
| ·溅射沉积法 | 第16页 |
| ·真空阴极电弧沉积技术 | 第16页 |
| ·DLC 膜存在的主要问题及解决办法 | 第16-19页 |
| ·存在的主要问题 | 第16-17页 |
| ·解决办法 | 第17-19页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 DLC 膜的制备 | 第21-29页 |
| ·薄膜的制备 | 第21-28页 |
| ·单频容性耦合等离子体放电 | 第21-22页 |
| ·双频容性耦合等离子体放电 | 第22-25页 |
| ·双频CCP-CVD 法制备DLC 膜 | 第25-26页 |
| ·射频磁控溅射技术制备DLC 膜 | 第26-28页 |
| ·基片及其预处理 | 第28-29页 |
| 第三章 DLC 膜的结构及性能表征 | 第29-38页 |
| ·DLC 薄膜厚度的测量 | 第29页 |
| ·DLC 膜的原子力显微镜表征 | 第29-30页 |
| ·DLC 薄膜的拉曼光谱表征 | 第30-33页 |
| ·紫外—可见—近红外光透射 | 第33-35页 |
| ·透射电子显微镜 | 第35-36页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第36-38页 |
| 第四章 等离子体放电参数对薄膜性能的影响 | 第38-50页 |
| ·双频输入功率对自偏压的影响 | 第38-39页 |
| ·不同条件下薄膜的生长速率 | 第39-42页 |
| ·薄膜的沉积速率随低频自偏压的变化 | 第39-40页 |
| ·薄膜的沉积速率随高频功率的变化 | 第40-41页 |
| ·薄膜的沉积速率随流量比、气压的变化 | 第41-42页 |
| ·DLC 膜的光吸收特性 | 第42-44页 |
| ·薄膜的光学带隙与低频自偏压的关系 | 第42-43页 |
| ·薄膜的光学带隙与高频功率的关系 | 第43-44页 |
| ·DLC 膜的拉曼光谱研究 | 第44-48页 |
| ·不同偏压下薄膜的拉曼光谱 | 第45-46页 |
| ·不同高频功率下的薄膜的拉曼光谱 | 第46-48页 |
| ·不同条件下薄膜的AFM 图谱 | 第48-50页 |
| 第五章 衬底温度对掺钼DLC 膜结构的影响 | 第50-57页 |
| ·薄膜的XPS 分析 | 第50-53页 |
| ·薄膜的TEM 分析 | 第53-54页 |
| ·薄膜的Raman 光谱分析 | 第54-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
