| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-17页 |
| 1.1 透明导电氧化物(TCO)薄膜材料 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO基TCO薄膜材料 | 第12页 |
| 1.3 ZnO基薄膜制备技术 | 第12-14页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法 | 第13页 |
| 1.3.2 脉冲激光沉积 | 第13页 |
| 1.3.3 热蒸发技术 | 第13页 |
| 1.3.4 溅射镀膜技术 | 第13-14页 |
| 1.4 选题及研究内容 | 第14-17页 |
| 1.4.1 背景及国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4.2 选题意义 | 第15-16页 |
| 1.4.3 本文主要主要工作 | 第16-17页 |
| 第2章 ZnO基TCO薄膜的制备及表征 | 第17-26页 |
| 2.1 ZnO基薄膜的制备 | 第17-19页 |
| 2.1.1 实验仪器 | 第17-18页 |
| 2.1.2 靶材制备及衬底处理 | 第18页 |
| 2.1.3 薄膜制备 | 第18-19页 |
| 2.2 薄膜性能表征手段 | 第19-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第19-20页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第20-21页 |
| 2.2.3 紫外-可见光分光光度计 | 第21-23页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试仪 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 基于遗传算法的光谱拟合程序设计 | 第26-44页 |
| 3.1 测量薄膜光学常数的方法 | 第26-33页 |
| 3.1.1 石英晶体振荡法 | 第26-27页 |
| 3.1.2 台阶仪 | 第27页 |
| 3.1.3 Swanepoel法 | 第27-30页 |
| 3.1.4 光谱拟合法 | 第30-33页 |
| 3.2 遗传算法简介及实现 | 第33-36页 |
| 3.2.1 算法简介 | 第33-34页 |
| 3.2.2 自适应遗传算法 | 第34-35页 |
| 3.2.3 实现过程 | 第35-36页 |
| 3.3 光谱拟合法计算及结果评估 | 第36-43页 |
| 3.3.1 光谱测量 | 第36-37页 |
| 3.3.2 计算结果分析 | 第37-39页 |
| 3.3.3 Swanepoel法计算结果比较 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 TMZO透明导电薄膜的性能研究 | 第44-74页 |
| 4.1 衬底温度对薄膜性能影响的研究 | 第44-57页 |
| 4.1.1 薄膜的制备 | 第44页 |
| 4.1.2 衬底温度对TMZO薄膜微观结构的影响 | 第44-48页 |
| 4.1.3 衬底温度对TMZO薄膜光学性能的影响 | 第48-52页 |
| 4.1.4 衬底温度对TMZO薄膜色散性能和介电性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.1.5 衬底温度对TMZO薄膜电学性能的影响 | 第55-57页 |
| 4.2 工作压强对薄膜性能影响的研究 | 第57-64页 |
| 4.2.1 薄膜制备 | 第57页 |
| 4.2.2 工作压强对TMZO薄膜微观结构的影响 | 第57-59页 |
| 4.2.3 工作压强对TMZO薄膜光学性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.2.4 工作压强对TMZO薄膜色散性能和介电性能的影响 | 第61-63页 |
| 4.2.5 工作压强对TMZO薄膜电学性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.3 溅射功率对薄膜性能影响的研究 | 第64-72页 |
| 4.3.1 薄膜制备 | 第64-65页 |
| 4.3.2 溅射功率对TMZO薄膜微观结构的影响 | 第65-66页 |
| 4.3.3 溅射功率对TMZO薄膜光学性能的影响 | 第66-68页 |
| 4.3.4 溅射功率对TMZO薄膜色散性能和介电性能的影响 | 第68-70页 |
| 4.3.5 溅射功率对TMZO薄膜电学性能的影响 | 第70-72页 |
| 4.4 优化工艺条件下TMZO薄膜的结构及性能 | 第72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 总结 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第83页 |
