| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 致谢 | 第9-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-26页 |
| 1.1 目的和意义 | 第15-19页 |
| 1.2 大功率IGBT老化信息提取研究现状 | 第19-24页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 IGBT模块老化衰退机理研究 | 第26-34页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 IGBT基本结构 | 第26-27页 |
| 2.3 IGBT老化衰退机理分析 | 第27-28页 |
| 2.4 IGBT不同老化衰退部位分析 | 第28-34页 |
| 2.4.1 键合线老化 | 第28-30页 |
| 2.4.2 焊接层老化 | 第30-31页 |
| 2.4.3 DBC层老化 | 第31-32页 |
| 2.4.4 铝金属重构 | 第32-33页 |
| 2.4.5 芯片层面的老化 | 第33-34页 |
| 第3章 直流加速老化实验平台搭建 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 直流加速老化平台概述 | 第35-40页 |
| 3.2.1 主功率电路概述 | 第35-36页 |
| 3.2.2 主要工作状态概述 | 第36-38页 |
| 3.2.3 平台辅助功能概述 | 第38-40页 |
| 3.3 直流加速老化平台硬件部分 | 第40-42页 |
| 3.3.1 差分采样电路 | 第40-41页 |
| 3.3.2 主功率驱动电路 | 第41-42页 |
| 3.3.3 三通阀驱动电路 | 第42页 |
| 3.4 直流加速老化平台软件部分 | 第42-47页 |
| 3.4.1 上位机部分 | 第43-45页 |
| 3.4.2 下位机部分 | 第45-46页 |
| 3.4.3 上位机-下位机通讯指令规则 | 第46-47页 |
| 第4章 基于开通过程的IGBT模块动态老化敏感电参数研究 | 第47-65页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 IGBT等效电路模型 | 第47-50页 |
| 4.3 IGBT开通过程分析 | 第50-52页 |
| 4.4 温度对开通过程中V_(Ee)的作用机理 | 第52-54页 |
| 4.5 键合线老化衰退对开通过程中V_(Ee)的作用机理 | 第54-57页 |
| 4.6 实验结果分析 | 第57-65页 |
| 4.6.1 V_(Ee)与温度之间关系实验验证 | 第57-60页 |
| 4.6.2 V_(Ee)与老化之间关系实验验证 | 第60-65页 |
| 第5章 总结和展望 | 第65-68页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第65-66页 |
| 5.2 今后工作展望 | 第66-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |