| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 光电阴极及微光像增强器的发展概述 | 第14-20页 |
| 1.1.1 光电阴极的发展 | 第14-17页 |
| 1.1.2 微光像增强器的发展 | 第17-20页 |
| 1.2 GaAlAs/GaAs光电阴极的研究进展 | 第20-26页 |
| 1.2.1 国外GaAlAs/GaAs光电阴极研究进展 | 第20-24页 |
| 1.2.2 国内GaAlAs/GaAs光电阴极研究进展 | 第24-26页 |
| 1.3 NEA GaAlAs/GaAs光电阴极的主要应用 | 第26-28页 |
| 1.4 本文研究的背景和意义 | 第28-29页 |
| 1.5 本文研究的主要工作 | 第29-32页 |
| 2 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极光电发射理论和量子效率研究 | 第32-60页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 GaAlAs/GaAs光电阴极材料的光学特性 | 第32-41页 |
| 2.2.1 GaAlAs/GaAs多层结构光电阴极的光学性能理论计算模型 | 第32-36页 |
| 2.2.2 Al组分对光电阴极光学性能的影响 | 第36-38页 |
| 2.2.3 GaAlAs/GaAs光电发射材料的第一性原理计算 | 第38-41页 |
| 2.3 NEA光电阴极的光电发射过程 | 第41-47页 |
| 2.3.1 光电子受激跃迁 | 第41-42页 |
| 2.3.2 受激光电子向光电阴极表面迁移 | 第42-44页 |
| 2.3.3 光电子逸出光电阴极表面 | 第44-47页 |
| 2.4 GaAlAs/GaAs光电阴极的光电发射表面分析 | 第47-51页 |
| 2.4.1 Ga_(1-x)Al_xAs(100)表面Cs-O双偶极层模型 | 第47-49页 |
| 2.4.2 GaAs(100)和GaAlAs(100)表面Cs吸附研究 | 第49-51页 |
| 2.5 GaAlAs/GaAs光电阴极量子效率研究 | 第51-58页 |
| 2.5.1 变组分变掺杂宽带蓝延伸GaAlAs/GaAs光电阴极量子效率研究 | 第52-55页 |
| 2.5.2 变组分变掺杂窄带响应GaAlAs光电阴极量子效率研究 | 第55-58页 |
| 2.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 3 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的结构设计与材料外延 | 第60-84页 |
| 3.1 引言 | 第60页 |
| 3.2 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs异质结和能带结构 | 第60-67页 |
| 3.2.1 GaAlAs/ GaAs材料的异质结结构 | 第60-63页 |
| 3.2.2 变组分变掺杂光电阴极的能带结构分析 | 第63-67页 |
| 3.3 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的结构设计 | 第67-76页 |
| 3.3.1 GaAlAs/GaAs光电阴极结构的设计流程 | 第67-68页 |
| 3.3.2 宽光谱蓝延伸光电阴极结构设计 | 第68-72页 |
| 3.3.3 窄带响应光电阴极结构设计 | 第72-76页 |
| 3.4 MOCVD和MBE外延材料掺杂结构的对比分析 | 第76-83页 |
| 3.4.1 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极材料的外延 | 第76-79页 |
| 3.4.2 通过MOCVD和MBE外延材料掺杂结构的对比分析 | 第79-83页 |
| 3.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 4 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的制备 | 第84-102页 |
| 4.1 引言 | 第84页 |
| 4.2 GaAlAs/GaAs光电阴极的激活、制备与评估系统 | 第84-89页 |
| 4.2.1 NEA光电阴极材料表面分析系统 | 第85-86页 |
| 4.2.2 超高真空激活系统 | 第86-88页 |
| 4.2.3 多信息量原位表征系统 | 第88-89页 |
| 4.3 GaAlAs/GaAs光电阴极的表面净化及XPS分析 | 第89-95页 |
| 4.3.1 光电阴极表面化学清洗 | 第89-91页 |
| 4.3.2 光电阴极XPS表面分析与拟合 | 第91-95页 |
| 4.4 GaAlAs/GaAs光电阴极的Cs、O激活 | 第95-101页 |
| 4.4.1 光电阴极的高温加热净化 | 第95-98页 |
| 4.4.2 光电阴极的Cs、O激活 | 第98-101页 |
| 4.5 本章小结 | 第101-102页 |
| 5 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的性能评估 | 第102-122页 |
| 5.1 引言 | 第102页 |
| 5.2 GaAlAs/GaAs光电阴极材料的质量评估 | 第102-104页 |
| 5.3 NEA GaAlAs/GaAs光电阴极的参数拟合与性能评估 | 第104-110页 |
| 5.3.1 不同化学清洗工艺处理后的样品光电发射性能 | 第104-106页 |
| 5.3.2 不同结构的GaAlAs/GaAs光电阴极光电发射性能评估 | 第106-110页 |
| 5.4 NEA GaAlAs/GaAs光电阴极的稳定性评估 | 第110-117页 |
| 5.4.1 表面Cs、O吸附对光电阴极稳定性的影响 | 第110-113页 |
| 5.4.2 窄带响应和宽带蓝延伸GaAlAs/GaAs光电阴极稳定性的比较 | 第113-117页 |
| 5.5 光电阴极表面电子逸出几率与表面禁带宽度变窄的研究 | 第117-121页 |
| 5.6 本章小结 | 第121-122页 |
| 6 结束语 | 第122-125页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第122-123页 |
| 6.2 本文创新点 | 第123-124页 |
| 6.3 有待进一步解决的问题 | 第124-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-138页 |
| 附录 | 第138-139页 |
