| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 锂离子电池基础 | 第10-13页 |
| 1.2.1 锂离子电池简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 锂离子电池基本结构及原理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 锂离子电池负极材料 | 第12-13页 |
| 1.3 锂离子电池锡基负极材料的研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.1 锂离子电池锡基负极材料的特点 | 第13-14页 |
| 1.3.2 锂离子电池锡基负极材料改性方法 | 第14-16页 |
| 1.4 锂离子电池三维纳米阵列结构电极的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.4.1 三维纳米阵列结构电极简介 | 第16-17页 |
| 1.4.2 三维纳米阵列结构电极材料制备方法 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的研究思路及主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 实验部分 | 第20-28页 |
| 2.1 材料制备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验仪器与设备 | 第21页 |
| 2.1.3 AAO的制备 | 第21-22页 |
| 2.1.4 Cu纳米棒阵列的制备 | 第22-23页 |
| 2.1.5 Sn-Cu纳米线阵列的制备 | 第23页 |
| 2.1.6 Sn-Cu@PPy纳米线阵列的制备 | 第23-24页 |
| 2.2 材料表征 | 第24-25页 |
| 2.3 电池组装 | 第25-26页 |
| 2.4 电化学性能测试 | 第26-28页 |
| 第3章 模板法电沉积制备Cu纳米阵列 | 第28-38页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 模板的表征及分析 | 第28-29页 |
| 3.2.1 AAO模板的表征及分析 | 第28-29页 |
| 3.2.2 PC模板的表征及分析 | 第29页 |
| 3.3 Cu纳米线阵列的表征及分析 | 第29-32页 |
| 3.3.1 AAO模板电沉积Cu纳米线阵列的表征及分析 | 第29-30页 |
| 3.3.2 PC模板电沉积Cu纳米线阵列的表征及分析 | 第30-32页 |
| 3.4 Cu纳米管阵列的表征及分析 | 第32-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-38页 |
| 第4章 Sn-Cu纳米线阵列三维电极 | 第38-56页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 氯化亚锡体系中模板电沉积Sn-Cu纳米线阵列的表征与分析 | 第38-46页 |
| 4.2.1 电流密度对Sn-Cu纳米线阵列的影响 | 第38-41页 |
| 4.2.2 主盐浓度对Sn-Cu纳米线阵列的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.3 添加剂对Sn-Cu纳米线阵列的影响 | 第42-45页 |
| 4.2.4 沉积方式对Sn-Cu纳米线阵列的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 硫酸亚锡体系中模板电沉积Sn-Cu纳米线阵列的表征与分析 | 第46-50页 |
| 4.3.1 沉积电位对Sn-Cu纳米线阵列的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.2 沉积时间对Sn-Cu纳米线阵列的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 Sn薄膜电极的表征及分析 | 第50-51页 |
| 4.5 Sn-Cu纳米线阵列三维电极与Sn薄膜电极的电化学性能分析 | 第51-53页 |
| 4.5.1 循环伏安分析 | 第51-52页 |
| 4.5.2 恒电流充放电电池性能分析 | 第52-53页 |
| 4.5.3 阻抗分析 | 第53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-56页 |
| 第5章 Sn-Cu@PPy纳米线阵列三维电极 | 第56-64页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 电沉积Sn-Cu@PPy纳米线阵列的表征及分析 | 第56-58页 |
| 5.2.1 循环伏安电沉积所得Sn-Cu@PPy纳米线阵列的表征及分析 | 第56-58页 |
| 5.2.2 恒电压沉积所得Sn-Cu@PPy纳米线阵列的表征及分析 | 第58页 |
| 5.3 PPy包覆后Sn-Cu纳米线阵列三维电极的电化学性能分析 | 第58-61页 |
| 5.3.1 循环伏安分析 | 第58-59页 |
| 5.3.2 恒电流充放电电池性能分析 | 第59-60页 |
| 5.3.3 阻抗分析 | 第60-61页 |
| 5.4 PPy包覆层缓冲体积膨胀的机理分析 | 第61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
