| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 硅的概述 | 第10-14页 |
| 1.1.1 硅的结构和性质 | 第10-11页 |
| 1.1.2 铸锭多晶硅的应用 | 第11-12页 |
| 1.1.3 铸锭多晶硅的生长方法 | 第12-14页 |
| 1.2 晶体生长的数值模拟方法 | 第14-16页 |
| 1.2.1 蒙特卡罗(MC)方法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 前沿跟踪(FT)法 | 第15页 |
| 1.2.3 相场(PF)法 | 第15页 |
| 1.2.4 元胞自动机(CA)法 | 第15-16页 |
| 1.2.5 格子玻尔兹曼(LBM)方法 | 第16页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第16-28页 |
| 1.3.1 宏观尺度 | 第16-22页 |
| 1.3.2 微观尺度 | 第22-24页 |
| 1.3.3 介观尺度 | 第24-28页 |
| 1.4 本课题主要研究内容和意义 | 第28-30页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第28页 |
| 1.4.2 研究意义 | 第28-30页 |
| 第二章 铸锭多晶硅晶体生长模型的建立 | 第30-46页 |
| 2.1 铸锭多晶硅晶体生长的CA模型 | 第30-35页 |
| 2.1.1 过冷度 | 第30-31页 |
| 2.1.2 晶体形核 | 第31-32页 |
| 2.1.3 生长模型 | 第32-33页 |
| 2.1.4 转化和捕获 | 第33-34页 |
| 2.1.5 CA计算流程 | 第34-35页 |
| 2.2 铸锭多晶硅晶体生长的LBM模型 | 第35-43页 |
| 2.2.1 离散速度模型 | 第35-36页 |
| 2.2.2 平衡分布函数 | 第36-37页 |
| 2.2.3 分布函数的演化 | 第37-39页 |
| 2.2.4 边界条件 | 第39-42页 |
| 2.2.5 LBM计算流程 | 第42-43页 |
| 2.3 CA-LBM耦合模型的计算流程 | 第43-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 LBM模型的验证 | 第46-50页 |
| 3.1 自然对流的验证 | 第46-47页 |
| 3.2 顶盖驱动的验证 | 第47-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 基于CA-LBM耦合的铸锭多晶硅晶体生长模型的模拟结果与讨论 | 第50-80页 |
| 4.1 铸锭多晶硅晶体生长过程的数值模拟 | 第50-64页 |
| 4.1.1 多晶硅晶体生长模型的建立 | 第50-51页 |
| 4.1.2 多晶硅晶体生长过程 | 第51-53页 |
| 4.1.3 多晶硅晶体生长过程中温度场 | 第53-57页 |
| 4.1.4 多晶硅晶体生长过程中自然对流 | 第57-62页 |
| 4.1.5 不同捕获方式及其结果分析 | 第62-64页 |
| 4.2 不同的形核方式以及强制对流下的晶体生长 | 第64-71页 |
| 4.2.1 不同形核方式及其结果分析 | 第64-67页 |
| 4.2.2 强制对流条件下熔体流场分析 | 第67-71页 |
| 4.3 初始熔体温度对多晶硅晶体生长的影响 | 第71-77页 |
| 4.3.1 初始熔体温度对温度场的影响 | 第71-73页 |
| 4.3.2 初始熔体温度对晶体生长速度和竞争行为的影响 | 第73-76页 |
| 4.3.3 初始熔体温度对固液界面形貌的影响 | 第76-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-80页 |
| 第五章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |