| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 半导体的物理特性 | 第7-13页 |
| 1.1.1 能带理论 | 第8-10页 |
| 1.1.2 载流子(电子和空穴) | 第10-11页 |
| 1.1.3 掺杂 | 第11-13页 |
| 1.2 半导体与金属接触 | 第13-18页 |
| 1.2.1 费米能级 | 第13-14页 |
| 1.2.2 功函数 | 第14-16页 |
| 1.2.3 Ohmic接触和Schottky接触 | 第16-18页 |
| 1.3 半导体涂层 | 第18-19页 |
| 1.3.1 半导体涂层的性能 | 第18页 |
| 1.3.2 半导体涂层的缺点 | 第18-19页 |
| 1.4 选题的目的及创新点 | 第19-20页 |
| 2 不同类型半导体填料对金属腐蚀行为影响机理研究 | 第20-41页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第20-21页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第20页 |
| 2.1.2 主要实验仪器 | 第20-21页 |
| 2.2 半导体材料的制备与表征 | 第21-25页 |
| 2.2.1 半导体材料的制备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 半导体粉末表征分析 | 第22-25页 |
| 2.3 不同类型半导体涂层的制备和性能测试 | 第25-30页 |
| 2.3.1 实验原理 | 第25-28页 |
| 2.3.2 实验方法 | 第28-30页 |
| 2.4 结果分析与讨论 | 第30-37页 |
| 2.4.1 EIS测试 | 第30-31页 |
| 2.4.2 LEIS测试 | 第31-33页 |
| 2.4.3 EN测试 | 第33-36页 |
| 2.4.4 半导体复合涂层划痕处金属基体腐蚀形貌分析 | 第36-37页 |
| 2.5 机理解释 | 第37-40页 |
| 2.5.1 功函数 | 第37-38页 |
| 2.5.2 ORR活性 | 第38-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 不同相结构TiO_2填料对金属腐蚀行为影响机理研究 | 第41-51页 |
| 3.1 实验试剂及仪器 | 第41-42页 |
| 3.1.1 实验试剂 | 第41页 |
| 3.1.2 实验仪器 | 第41-42页 |
| 3.2 不同相结构TiO_2的制备与表征 | 第42-45页 |
| 3.2.1 不同相结构TiO_2的制备 | 第42-43页 |
| 3.2.2 不同相结构TiO_2的表征 | 第43-45页 |
| 3.3 不同相结构TiO_2涂层的制备和性能测试 | 第45-48页 |
| 3.3.1 实验方法 | 第45页 |
| 3.3.2 涂层性能测试结果与分析 | 第45-48页 |
| 3.4 机理解释 | 第48-50页 |
| 3.4.1 功函数 | 第48-49页 |
| 3.4.2 ORR活性 | 第49-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |