| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 钙钛矿材料的概述 | 第12-14页 |
| 1.2.1 材料的晶体结构与性质 | 第12-13页 |
| 1.2.2 钙钛矿材料在光电领域的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 钙钛矿薄膜的制备方法概述 | 第14-16页 |
| 1.3.1 一步旋涂法 | 第14-15页 |
| 1.3.2 两步浸泡法 | 第15页 |
| 1.3.3 溶液-气相沉积法 | 第15-16页 |
| 1.3.4 双源共蒸法 | 第16页 |
| 1.4 钙钛矿发光二极管的研究 | 第16-18页 |
| 1.4.1 钙钛矿发光二极管的发光原理 | 第16-17页 |
| 1.4.2 钙钛矿发光二极管的性能参数 | 第17-18页 |
| 1.5 钙钛矿发光二极管的研究现状与发展趋势 | 第18-22页 |
| 1.5.1 钙钛矿发光二极管的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.5.2 钙钛矿发光二极管存在的问题和发展趋势 | 第21-22页 |
| 1.6 本论文研究的主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 苯乙胺对钙钛矿薄膜及电致发光器件的影响 | 第24-40页 |
| 2.1 实验设计方案 | 第24-27页 |
| 2.1.1 实验试剂及实验设备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 钙钛矿前驱体溶液的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.3 钙钛矿薄膜的制备 | 第26页 |
| 2.1.4 钙钛矿发光二极管的制备流程 | 第26-27页 |
| 2.2 实验结果与性能分析 | 第27-37页 |
| 2.2.1 不同浓度钙钛矿前驱液发光二极管器件的性能分析 | 第27-28页 |
| 2.2.2 苯乙胺对钙钛矿成膜的影响 | 第28-34页 |
| 2.2.3 苯乙胺对钙钛矿发光二极管的影响 | 第34-37页 |
| 2.3 本章小结 | 第37-40页 |
| 第三章 不同链长苯基烷胺溴对钙钛矿薄膜及电致发光器件的影响 | 第40-56页 |
| 3.1 实验设计方案 | 第40-44页 |
| 3.1.1 实验试剂及实验设备 | 第40-41页 |
| 3.1.2 苯胺溴苯甲胺溴和苯乙胺溴的合成 | 第41-42页 |
| 3.1.3 钙钛矿溶液的制备 | 第42-43页 |
| 3.1.4 钙钛矿薄膜的制备 | 第43页 |
| 3.1.5 钙钛矿发光二极管的制备流程 | 第43-44页 |
| 3.2 实验结果与性能分析 | 第44-53页 |
| 3.2.1 不同浓度的苯乙胺溴器件性能 | 第44页 |
| 3.2.2 不同苯基烷胺溴对钙钛矿薄膜的影响 | 第44-49页 |
| 3.2.3 不同苯基烷胺溴对钙钛矿发光二极管的影响 | 第49-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-56页 |
| 第四章 高性能全无机钙钛矿电致发光器件的研究 | 第56-66页 |
| 4.1 实验设计方案 | 第56-59页 |
| 4.1.1 实验试剂及实验设备 | 第56-57页 |
| 4.1.2 钙钛矿前驱体溶液的制备 | 第57页 |
| 4.1.3 钙钛矿薄膜的制备 | 第57页 |
| 4.1.4 钙钛矿发光二极管器件结构及制备流程 | 第57-59页 |
| 4.2 实验结果与性能分析 | 第59-65页 |
| 4.2.1 不同器件结构与旋涂转速下的发光二极管性能 | 第59-60页 |
| 4.2.2 不同比例PbBr_2与CsBr的钙钛矿薄膜分析 | 第60-64页 |
| 4.2.3 不同比例PbBr_2与CsBr的钙钛矿发光二极管分析 | 第64-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
