| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题背景和研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第12-17页 |
| 1.2.1 霍尔推力器数值模拟研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.2 霍尔推力器技术发展趋势及新问题 | 第15-17页 |
| 1.3 本文主要研究内容及章节安排 | 第17-18页 |
| 第2章 PIC数值计算模型 | 第18-38页 |
| 2.1 推力器模型 | 第18-19页 |
| 2.2 PIC数值模拟方法 | 第19-29页 |
| 2.2.1 粒子运动 | 第19-22页 |
| 2.2.2 区域划分及边界处理 | 第22-26页 |
| 2.2.3 性能参数统计 | 第26页 |
| 2.2.4 加速方法 | 第26-29页 |
| 2.3 真空背压模型 | 第29-31页 |
| 2.4 多价电离模型 | 第31-35页 |
| 2.4.1 平均自由程分析 | 第31-33页 |
| 2.4.2 多价电离过程的处理方法 | 第33-35页 |
| 2.5 壁面溅射侵蚀模型 | 第35-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 背压对霍尔推力器放电特性及壁面侵蚀影响的数值模拟研究 | 第38-50页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 数值计算结果与实验结果对比校验 | 第39-41页 |
| 3.2.1 模拟参数的选取 | 第39-40页 |
| 3.2.2 模拟结果校验 | 第40-41页 |
| 3.3 背景压强对电离加速特性的影响规律分析 | 第41-46页 |
| 3.3.1 背景压强对电离过程的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 背景压强对加速过程的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 背压产生的推力增量的贡献分析 | 第46页 |
| 3.5 背压对壁面侵蚀的影响规律分析 | 第46-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 阳极温度影响霍尔推力器放电特性的数值模拟研究 | 第50-61页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 模拟参数的选取 | 第51-52页 |
| 4.3 模拟结果及分析 | 第52-54页 |
| 4.3.1 推力器性能随阳极温度的变化 | 第52-53页 |
| 4.3.2 效率特性随阳极温度的变化 | 第53-54页 |
| 4.4 放电机理分析 | 第54-59页 |
| 4.4.1 低放电电压(150V)的情况 | 第54-57页 |
| 4.4.2 高放电电压(300V)的情况 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 霍尔推力器多价电离特性的数值模拟研究 | 第61-81页 |
| 5.1 引言 | 第61-62页 |
| 5.2 多价电离的有无对霍尔推力器放电影响分析 | 第62-68页 |
| 5.2.1 输入参数介绍 | 第62-63页 |
| 5.2.2 性能参数对比 | 第63页 |
| 5.2.3 多价离子数占比合理性验证 | 第63-64页 |
| 5.2.4 多价电离分布情况 | 第64-66页 |
| 5.2.5 中心线参数对比 | 第66-68页 |
| 5.3 磁场位型对多价离子分布的影响规律机理分析 | 第68-75页 |
| 5.3.1 输入参数介绍 | 第68-69页 |
| 5.3.2 性能参数对比 | 第69-71页 |
| 5.3.3 两种磁场位型电离情况对比 | 第71-73页 |
| 5.3.4 两种磁场位型下多价离子占比差异原因分析 | 第73-75页 |
| 5.4 工质流量对多价电离特性的影响规律机理分析 | 第75-80页 |
| 5.4.1 输入参数介绍 | 第75-76页 |
| 5.4.2 性能参数随工质流量变化 | 第76-77页 |
| 5.4.3 不同工质流量下的多价电离对比分析 | 第77-79页 |
| 5.4.4 多价电离占比随工质流量变化规律原因分析 | 第79-80页 |
| 5.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-90页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
