| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物的研究概况 | 第9-13页 |
| 1.3 二维ZnX基材料的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3.1 实验研究进展 | 第13-14页 |
| 1.3.2 理论计算研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第2章 理论基础与研究方法 | 第19-30页 |
| 2.1 引言 | 第19-21页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-23页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第22页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第23-25页 |
| 2.3.1 局域密度近似(LDA) | 第23-24页 |
| 2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第24-25页 |
| 2.4 平面基组与赝势方法 | 第25-28页 |
| 2.4.1 平面波基组 | 第25-26页 |
| 2.4.2 赝势方法 | 第26-28页 |
| 2.5 密度泛函理论的修正与扩展 | 第28页 |
| 2.6 本论文采用的计算软件 | 第28-30页 |
| 第3章 二维四方ZnS/ZnSe异质结电子与光学特性 | 第30-44页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 计算细节 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-43页 |
| 3.3.1 二维四方ZnS/ZnSe异质结的稳定性分析 | 第31-32页 |
| 3.3.2 二维四方ZnS/ZnSe异质结电子结构分析 | 第32-39页 |
| 3.3.3 二维四方ZnS/ZnSe异质结光学特性分析 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 二维四方ZnX/PbO异质结电子与光学特性 | 第44-56页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 计算细节 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 4.3.1 二维四方ZnX/PbO异质结热稳定性分析 | 第45-46页 |
| 4.3.2 二维四方ZnX/PbO异质结电子结构分析 | 第46-52页 |
| 4.3.3 二维四方ZnX/PbO异质结光学特性分析 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
