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拓扑半金属材料的第一性原理研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-22页
    1.1 拓扑系统的研究进展第12-17页
        1.1.1 整数量子霍尔态第13-14页
        1.1.2 量子反常霍尔态第14-16页
        1.1.3 量子自旋霍尔态第16-17页
    1.2 拓扑材料的研究进展第17-19页
        1.2.1 拓扑绝缘体第17-18页
        1.2.2 拓扑外尔金属第18页
        1.2.3 拓扑狄拉克半金属第18-19页
    1.3 拓扑不变量第19-20页
    1.4 主要工作和论文结构第20-22页
第二章 理论基础和计算方法第22-30页
    2.1 密度泛函理论第24-27页
        2.1.1 Thomas-Fermi模型第24页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第24-25页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第25-26页
        2.1.4 交换关联项第26-27页
    2.2 瓦尼尔函数方法第27页
    2.3 能带的对称性和k·p方法第27-30页
第三章 层状材料XIn_2P_2(X=Ca,Sr)的拓扑相变的研究第30-38页
    3.1 前言第30-31页
    3.2 晶格结构和计算方法第31-32页
    3.3 结果与讨论第32-36页
    3.4 小结第36-38页
第四章 六角层状化合物BaGaSnH:一个新的狄拉克半金属第38-44页
    4.1 前言第38页
    4.2 晶格结构和计算方法第38-39页
    4.3 结果与讨论第39-42页
    4.4 小结第42-44页
第五章 一个新的节点线半金属PbO第44-50页
    5.1 前言第44-45页
    5.2 晶格结构和计算方法第45页
    5.3 结果与讨论第45-48页
    5.4 小结第48-50页
参考文献第50-62页
致谢第62-63页
攻读硕士学位期间的主要工作第63-65页

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