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质子对碲锌镉的辐照损伤及质子屏蔽的计算机模拟

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第12-14页
    1.1 研究背景第12-14页
第二章 空间辐射环境介绍第14-17页
    2.1 银河宇宙射线第14页
    2.2 太阳宇宙射线第14-15页
    2.3 范.艾伦辐射带第15-17页
第三章 质子对电子器件的辐照损伤第17-20页
    3.1 单粒子效应第17页
    3.2 总电离剂量效应第17页
    3.3 位移效应第17-18页
    3.4 溅射第18-20页
第四章 MCNP与SRIM介绍第20-27页
    4.1 蒙特卡罗方法第20页
    4.2 MCNP介绍第20-22页
        4.2.1 几何第21-22页
        4.2.2 源的描述第22页
        4.2.3 材料的指定第22页
    4.3 SRIM介绍第22-27页
第五章 质子屏蔽模拟分析第27-37页
    5.1 模拟内容第27-28页
    5.2 结果分析第28-37页
第六章 SRIM模拟碲锌镉质子辐照损伤第37-56页
    6.1 模拟过程第37页
    6.2 模拟结果第37-56页
        6.2.1 SR模拟结果第37-41页
        6.2.2 不同能量质子辐照材料产生的空位分析第41-47页
        6.2.3 不同入射角度的质子辐照材料产生的空位分析第47-53页
        6.2.4 不同能量质子辐照CZT的溅射产额分析第53-54页
        6.2.5 不同角度质子辐照CZT的溅射产额分析第54-55页
        6.2.6 质子辐照不同厚度CZT靶的溅射产额分析第55-56页
第七章 总结第56-58页
    7.1 结论第56-57页
    7.2 展望第57-58页
参考文献第58-62页
作者简介及在学期间所取得的科研成果第62-63页
致谢第63页

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