首页--数理科学和化学论文--化学论文--物理化学(理论化学)、化学物理学论文

表面修饰层状结构半导体光催化还原空气中关键组分的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 半导体光催化技术第11-13页
        1.1.1 半导体光催化的基本原理第11-12页
        1.1.2 半导体光催化的研究现状与应用第12-13页
        1.1.3 光催化技术的优势第13页
        1.1.4 光催化还原空气中关键组分N_2和O_2小分子第13页
    1.2 典型层状半导体光催化材料第13-16页
        1.2.1 二硫化钼半导体基本结构与性质第14页
        1.2.2 二硫化钼的合成方法第14-15页
        1.2.3 二硫化钼材料在光催化应用中主要的限制因素第15页
        1.2.4 氯氧化铋半导体基本结构与性质第15-16页
        1.2.5 氯氧化铋的合成方法第16页
        1.2.6 氯氧化铋材料在光催化应用中的主要因素第16页
    1.3 光催化剂表面修饰策略第16-19页
        1.3.1 表面金属离子修饰第16-17页
        1.3.2 表面光敏化第17-18页
        1.3.3 表面贵金属沉积第18页
        1.3.4 表面无机修饰第18-19页
    1.4 论文的选题思想及主要内容第19-21页
        1.4.1 选题思想第19-20页
        1.4.2 本文的主要内容第20-21页
第二章 原子铁修饰促进少层二硫化钼对分子氮光催化还原的研究第21-40页
    2.1 前言第21-23页
    2.2 实验过程第23-26页
        2.2.1 实验试剂第23页
        2.2.2 实验仪器第23-24页
        2.2.3 光催化剂的合成第24-25页
        2.2.4 光催化固氮实验第25页
        2.2.5 理论计算参数设置第25页
        2.2.6 分析测试方法第25-26页
    2.3 结果与讨论第26-39页
        2.3.1 材料表征第26-30页
        2.3.2 光催化固氮产物检测第30-33页
        2.3.3 氮气的固定和转化第33-35页
        2.3.4 光生电子的转移第35-37页
        2.3.5 理论计算第37-38页
        2.3.6 反应机理第38-39页
    2.4 本章小结第39-40页
第三章 磷酸表面修饰促进{001}晶面面暴露氯氧化铋光催化还原分子氧研究第40-54页
    3.1 前言第40-41页
    3.2 实验部分第41-43页
        3.2.1 实验试剂第41页
        3.2.2 实验仪器第41-42页
        3.2.3 光催化剂的合成第42页
        3.2.4 理论计算参数设置第42-43页
        3.2.5 电化学分析第43页
        3.2.6 分析测试方法第43页
    3.3 结果与讨论第43-53页
        3.3.1 光催化剂的表征第43-45页
        3.3.2 活性氧物种检测第45-47页
        3.3.3 表面氧空位的表征第47-48页
        3.3.4 表面电场及载流子寿命表征第48-49页
        3.3.5 理论计算第49-50页
        3.3.6 五氯酚钠的降解实验第50-52页
        3.3.7 反应机理第52-53页
    3.4 本章小结第53-54页
第四章 结论与展望第54-55页
参考文献第55-64页
致谢第64-65页

论文共65页,点击 下载论文
上一篇:半导体基光催化材料的设计、制备及其分解水性能研究
下一篇:石蜡微胶囊包裹的Kn(?)lker铁络合物的稳定性和催化活性研究