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高纯一碘化铟多晶制备及光谱检测

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 半导体材料概述第10-11页
    1.2 半导体核辐射探测器第11-12页
    1.3 室温半导体核辐射探测器第12-13页
    1.4 课题研究的目的及意义第13-14页
    1.5 论文结构安排第14-16页
第2章 半导体合成工艺第16-29页
    2.1 半导体合成物理机制第16-23页
        2.1.1 半导体晶体成核第16-20页
        2.1.2 半导体晶体生长的界面稳定性第20-22页
        2.1.3 半导体晶体生长的输运过程第22-23页
    2.2 半导体晶体合成方法第23-27页
        2.2.1 气相生长第24-25页
        2.2.2 溶液生长第25-27页
        2.2.3 熔体生长第27页
        2.2.4 固相生长第27页
    2.3 本章小结第27-29页
第3章 一碘化铟多晶合成工艺第29-47页
    3.1 一碘化铟及其合成原料物化性质第29-33页
        3.1.1 一碘化铟物化分析第29-32页
        3.1.2 铟的物化性质第32-33页
        3.1.3 碘的物化性质第33页
    3.2 一碘化铟多晶合成理论分析第33-37页
        3.2.1 合成反应的热力学分析第33-35页
        3.2.2 合成反应因素影响第35-37页
    3.3 一碘化铟多晶合成工艺第37-46页
        3.3.1 一碘化铟相图分析第37-38页
        3.3.2 合成方法第38-42页
        3.3.3 一碘化铟多晶合成工艺第42-46页
    3.4 本章小结第46-47页
第4章 一碘化铟晶体的光谱检测与纯度分析第47-61页
    4.1 TEM-SAED分析第47-49页
        4.1.1 TEM-SAED测试原理第47页
        4.1.2 TEM-SAED测试结果与讨论第47-49页
    4.2 热分析第49-52页
        4.2.1 热分析原理第49页
        4.2.2 热分析测试结果与讨论第49-52页
    4.3 XRD分析第52-54页
        4.3.1 XRD测试原理第52页
        4.3.2 XRD测试结果与讨论第52-54页
    4.4 SEM-EDS分析第54-57页
        4.4.1 SEM-EDS测试原理第54页
        4.4.2 SEM-EDS测试结果与讨论第54-57页
    4.5 ICP测试第57-58页
        4.5.1 ICP测试原理第57页
        4.5.2 ICP测试结果与讨论第57-58页
    4.6 四探针电阻率测试第58-60页
        4.6.1 四探针电阻率测试原理第58-59页
        4.6.2 四探针电阻率测试结果与讨论第59-60页
    4.7 本章小结第60-61页
结论第61-62页
参考文献第62-67页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第67-68页
致谢第68-69页
作者简介第69页

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