高纯一碘化铟多晶制备及光谱检测
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 半导体材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体核辐射探测器 | 第11-12页 |
| 1.3 室温半导体核辐射探测器 | 第12-13页 |
| 1.4 课题研究的目的及意义 | 第13-14页 |
| 1.5 论文结构安排 | 第14-16页 |
| 第2章 半导体合成工艺 | 第16-29页 |
| 2.1 半导体合成物理机制 | 第16-23页 |
| 2.1.1 半导体晶体成核 | 第16-20页 |
| 2.1.2 半导体晶体生长的界面稳定性 | 第20-22页 |
| 2.1.3 半导体晶体生长的输运过程 | 第22-23页 |
| 2.2 半导体晶体合成方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 气相生长 | 第24-25页 |
| 2.2.2 溶液生长 | 第25-27页 |
| 2.2.3 熔体生长 | 第27页 |
| 2.2.4 固相生长 | 第27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-29页 |
| 第3章 一碘化铟多晶合成工艺 | 第29-47页 |
| 3.1 一碘化铟及其合成原料物化性质 | 第29-33页 |
| 3.1.1 一碘化铟物化分析 | 第29-32页 |
| 3.1.2 铟的物化性质 | 第32-33页 |
| 3.1.3 碘的物化性质 | 第33页 |
| 3.2 一碘化铟多晶合成理论分析 | 第33-37页 |
| 3.2.1 合成反应的热力学分析 | 第33-35页 |
| 3.2.2 合成反应因素影响 | 第35-37页 |
| 3.3 一碘化铟多晶合成工艺 | 第37-46页 |
| 3.3.1 一碘化铟相图分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 合成方法 | 第38-42页 |
| 3.3.3 一碘化铟多晶合成工艺 | 第42-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 一碘化铟晶体的光谱检测与纯度分析 | 第47-61页 |
| 4.1 TEM-SAED分析 | 第47-49页 |
| 4.1.1 TEM-SAED测试原理 | 第47页 |
| 4.1.2 TEM-SAED测试结果与讨论 | 第47-49页 |
| 4.2 热分析 | 第49-52页 |
| 4.2.1 热分析原理 | 第49页 |
| 4.2.2 热分析测试结果与讨论 | 第49-52页 |
| 4.3 XRD分析 | 第52-54页 |
| 4.3.1 XRD测试原理 | 第52页 |
| 4.3.2 XRD测试结果与讨论 | 第52-54页 |
| 4.4 SEM-EDS分析 | 第54-57页 |
| 4.4.1 SEM-EDS测试原理 | 第54页 |
| 4.4.2 SEM-EDS测试结果与讨论 | 第54-57页 |
| 4.5 ICP测试 | 第57-58页 |
| 4.5.1 ICP测试原理 | 第57页 |
| 4.5.2 ICP测试结果与讨论 | 第57-58页 |
| 4.6 四探针电阻率测试 | 第58-60页 |
| 4.6.1 四探针电阻率测试原理 | 第58-59页 |
| 4.6.2 四探针电阻率测试结果与讨论 | 第59-60页 |
| 4.7 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 作者简介 | 第69页 |
