面向芯片原子钟应用的MEMS气室关键技术研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外现状 | 第11-17页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 基本原理及微尺度对其性能的影响 | 第19-25页 |
| 2.1 相干布居囚禁原理 | 第19-20页 |
| 2.2 微型原子气室中的碰撞增宽与位移 | 第20-23页 |
| 2.2.1 气室缓冲气体压强与温度偏移 | 第21页 |
| 2.2.2 磁场偏移 | 第21-22页 |
| 2.2.3 光位移(AC-Stark效应) | 第22页 |
| 2.2.4 微型原子钟的频率偏移总结 | 第22-23页 |
| 2.3 微型原子气室中的CPT共振 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 芯片原子钟系统结构 | 第25-36页 |
| 3.1 电学系统 | 第25-30页 |
| 3.1.1 精密电流源 | 第25-26页 |
| 3.1.2 伺服加热控制电路 | 第26-27页 |
| 3.1.3 本地振荡单元 | 第27-29页 |
| 3.1.4 光学探测单元 | 第29-30页 |
| 3.2 光学系统 | 第30-35页 |
| 3.2.1 VCSEL | 第30-32页 |
| 3.2.2 波片 | 第32-33页 |
| 3.2.3 MEMS气室 | 第33-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 MEMS气室结构的设计与加工 | 第36-49页 |
| 4.1 MEMS气室结构设计 | 第36-39页 |
| 4.1.1 材料选择 | 第36-37页 |
| 4.1.2 版图设计 | 第37-39页 |
| 4.2 MEMS气室的加工 | 第39-48页 |
| 4.2.1 ICP深硅刻蚀 | 第39-43页 |
| 4.2.2 刻蚀过程中遇到的问题 | 第43-45页 |
| 4.2.3 阳极键合 | 第45-47页 |
| 4.2.4 阳极键合过程中存在的问题 | 第47-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 MEMS气室的测试分析 | 第49-56页 |
| 5.1 对MEMS气室进行饱和吸收谱线测试 | 第49-52页 |
| 5.2 对MEMS气室进行CPT信号的检测 | 第52-55页 |
| 5.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 工作总结 | 第56-57页 |
| 6.2 工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及取得的研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
