| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第12-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-17页 |
| 1.1.1 高频材料的Snoek极限 | 第12-13页 |
| 1.1.2 Snoek极限的突破及高频软磁材料研究现状 | 第13-15页 |
| 1.1.3 软磁材料高频性能的进一步提高 | 第15-17页 |
| 1.2 本文研究内容及意义 | 第17-20页 |
| 引文 | 第20-24页 |
| 第二章 理论基础 | 第24-41页 |
| 2.1 磁各向异性与磁结构 | 第24-28页 |
| 2.1.1 磁晶各向异性 | 第24-26页 |
| 2.1.2 形状各向异性 | 第26页 |
| 2.1.3 薄膜面内单轴各向异性 | 第26页 |
| 2.1.4 负磁晶各向异性的优点 | 第26-28页 |
| 2.2 高频磁性 | 第28-31页 |
| 2.2.1 动态磁性理论 | 第28-30页 |
| 2.2.2 软磁薄膜的高频磁谱 | 第30页 |
| 2.2.3 软磁薄膜的高频磁损耗 | 第30-31页 |
| 2.3 第一性原理计算简介 | 第31-36页 |
| 2.3.1 薛定谔方程与绝热近似 | 第31-32页 |
| 2.3.2 密度泛函理论 | 第32-33页 |
| 2.3.3 交换关联势与波函数 | 第33-34页 |
| 2.3.4 第一性原理计算MAE简介 | 第34-36页 |
| 引文 | 第36-41页 |
| 第三章 Co基合金磁晶各向异性的第一性原理研究 | 第41-62页 |
| 3.1 CoNi合金磁晶各向异性的第一性原理研究 | 第41-50页 |
| 3.1.1 计算方法 | 第41-43页 |
| 3.1.2 计算结果与讨论 | 第43-50页 |
| 3.2 CoIr合金磁晶各向异性的第一性原理研究 | 第50-58页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第50-53页 |
| 3.2.2 计算结果 | 第53-54页 |
| 3.2.3 电子结构分析与讨论 | 第54-58页 |
| 3.3 两个体系的对比 | 第58页 |
| 3.4 小结 | 第58-60页 |
| 引文 | 第60-62页 |
| 第四章 第一性原理研究电场对Co_2Si_2多层膜磁晶各向异性的调控 | 第62-71页 |
| 4.1 计算方法 | 第62-63页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第63-68页 |
| 4.2.1 磁矩 | 第63-66页 |
| 4.2.2 磁晶各向异性能(MAE) | 第66-68页 |
| 4.3 小结 | 第68-69页 |
| 引文 | 第69-71页 |
| 第五章 样品制备与表征方法 | 第71-86页 |
| 5.1 薄膜的制备方法 | 第71-76页 |
| 5.1.1 磁控溅射原理 | 第71-73页 |
| 5.1.2 溅射膜生长过程 | 第73-74页 |
| 5.1.3 溅射镀膜装置 | 第74-75页 |
| 5.1.4 薄膜制备流程 | 第75-76页 |
| 5.2 薄膜的性能表征方法 | 第76-85页 |
| 5.2.1 薄膜厚度测量 | 第77-78页 |
| 5.2.2 成分测定 | 第78页 |
| 5.2.3 晶体结构分析 | 第78-79页 |
| 5.2.4 静态磁性表征 | 第79-80页 |
| 5.2.5 表面形貌观察 | 第80-81页 |
| 5.2.6 薄膜各向异性场的测量 | 第81-83页 |
| 5.2.7 高频磁性测量与分析 | 第83-85页 |
| 引文 | 第85-86页 |
| 第六章 衬底层溅射条件优化及溅射气压对CoIr薄膜的影响 | 第86-98页 |
| 6.1 衬底层的选取 | 第86-87页 |
| 6.2 衬底层溅射条件的优化 | 第87-92页 |
| 6.2.1 溅射速率的规律 | 第87-89页 |
| 6.2.2 Ta层溅射条件对Ru结晶和取向的影响 | 第89页 |
| 6.2.3 Ru层溅射条件对Ru结晶和取向的影响 | 第89-91页 |
| 6.2.4 Pt层增强Ru取向度 | 第91-92页 |
| 6.3 溅射气压对CoIr薄膜静态磁性的影响 | 第92-96页 |
| 6.3.1 溅射气压对CoIr薄膜结晶的影响 | 第93页 |
| 6.3.2 溅射气压对CoIr薄膜静态磁性的影响 | 第93-96页 |
| 6.4 小结 | 第96-97页 |
| 引文 | 第97-98页 |
| 第七章 不同成分CoIr软磁薄膜的高频磁性 | 第98-111页 |
| 7.1 不同成分CoIr薄膜的制备 | 第98-100页 |
| 7.1.1 CoIr薄膜成分确定 | 第98-99页 |
| 7.1.2 CoIr薄膜的晶体结构 | 第99-100页 |
| 7.2 不同成分Co_(1-x)Ir_x薄膜的静态磁性 | 第100-103页 |
| 7.3 不同成分Co_(1-x)Ir_x薄膜的ESR测量与共振场拟合 | 第103-106页 |
| 7.4 不同成分CoIr薄膜的高频磁性 | 第106-109页 |
| 7.5 小结 | 第109-110页 |
| 引文 | 第110-111页 |
| 第八章 基片温度对CoIr薄膜形貌与高频磁性的影响 | 第111-125页 |
| 8.1 CoIr薄膜形貌以及晶粒尺寸随基片温度的变化 | 第111-113页 |
| 8.2 基片温度对CoIr薄膜静态磁性的影响 | 第113-116页 |
| 8.3 不同基片温度下CoIr薄膜的ESR测量与各向异性场拟合 | 第116-118页 |
| 8.4 基片温度对CoIr薄膜高频磁性的影响 | 第118-122页 |
| 8.5 小结 | 第122-123页 |
| 引文 | 第123-125页 |
| 第九章 膜厚对CoIr薄膜静态磁性及高频磁性的影响 | 第125-140页 |
| 9.1 膜厚对CoIr薄膜静态磁性的影响 | 第125-128页 |
| 9.2 不同厚度CoIr薄膜的ESR测量及共振场拟合 | 第128-130页 |
| 9.3 膜厚对CoIr薄膜高频磁性的影响 | 第130-133页 |
| 9.4 衬底层厚度对CoIr薄膜磁性的影响 | 第133-136页 |
| 9.5 小结 | 第136-138页 |
| 引文 | 第138-140页 |
| 第十章 结论与展望 | 第140-143页 |
| 10.1 主要结论 | 第140-142页 |
| 10.2 展望 | 第142-143页 |
| 附录 | 第143-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
