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hcp-Co基软磁材料磁晶各向异性的第一性原理计算及其高频磁性

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 引言第12-24页
    1.1 研究背景第12-17页
        1.1.1 高频材料的Snoek极限第12-13页
        1.1.2 Snoek极限的突破及高频软磁材料研究现状第13-15页
        1.1.3 软磁材料高频性能的进一步提高第15-17页
    1.2 本文研究内容及意义第17-20页
    引文第20-24页
第二章 理论基础第24-41页
    2.1 磁各向异性与磁结构第24-28页
        2.1.1 磁晶各向异性第24-26页
        2.1.2 形状各向异性第26页
        2.1.3 薄膜面内单轴各向异性第26页
        2.1.4 负磁晶各向异性的优点第26-28页
    2.2 高频磁性第28-31页
        2.2.1 动态磁性理论第28-30页
        2.2.2 软磁薄膜的高频磁谱第30页
        2.2.3 软磁薄膜的高频磁损耗第30-31页
    2.3 第一性原理计算简介第31-36页
        2.3.1 薛定谔方程与绝热近似第31-32页
        2.3.2 密度泛函理论第32-33页
        2.3.3 交换关联势与波函数第33-34页
        2.3.4 第一性原理计算MAE简介第34-36页
    引文第36-41页
第三章 Co基合金磁晶各向异性的第一性原理研究第41-62页
    3.1 CoNi合金磁晶各向异性的第一性原理研究第41-50页
        3.1.1 计算方法第41-43页
        3.1.2 计算结果与讨论第43-50页
    3.2 CoIr合金磁晶各向异性的第一性原理研究第50-58页
        3.2.1 计算方法第50-53页
        3.2.2 计算结果第53-54页
        3.2.3 电子结构分析与讨论第54-58页
    3.3 两个体系的对比第58页
    3.4 小结第58-60页
    引文第60-62页
第四章 第一性原理研究电场对Co_2Si_2多层膜磁晶各向异性的调控第62-71页
    4.1 计算方法第62-63页
    4.2 结果与讨论第63-68页
        4.2.1 磁矩第63-66页
        4.2.2 磁晶各向异性能(MAE)第66-68页
    4.3 小结第68-69页
    引文第69-71页
第五章 样品制备与表征方法第71-86页
    5.1 薄膜的制备方法第71-76页
        5.1.1 磁控溅射原理第71-73页
        5.1.2 溅射膜生长过程第73-74页
        5.1.3 溅射镀膜装置第74-75页
        5.1.4 薄膜制备流程第75-76页
    5.2 薄膜的性能表征方法第76-85页
        5.2.1 薄膜厚度测量第77-78页
        5.2.2 成分测定第78页
        5.2.3 晶体结构分析第78-79页
        5.2.4 静态磁性表征第79-80页
        5.2.5 表面形貌观察第80-81页
        5.2.6 薄膜各向异性场的测量第81-83页
        5.2.7 高频磁性测量与分析第83-85页
    引文第85-86页
第六章 衬底层溅射条件优化及溅射气压对CoIr薄膜的影响第86-98页
    6.1 衬底层的选取第86-87页
    6.2 衬底层溅射条件的优化第87-92页
        6.2.1 溅射速率的规律第87-89页
        6.2.2 Ta层溅射条件对Ru结晶和取向的影响第89页
        6.2.3 Ru层溅射条件对Ru结晶和取向的影响第89-91页
        6.2.4 Pt层增强Ru取向度第91-92页
    6.3 溅射气压对CoIr薄膜静态磁性的影响第92-96页
        6.3.1 溅射气压对CoIr薄膜结晶的影响第93页
        6.3.2 溅射气压对CoIr薄膜静态磁性的影响第93-96页
    6.4 小结第96-97页
    引文第97-98页
第七章 不同成分CoIr软磁薄膜的高频磁性第98-111页
    7.1 不同成分CoIr薄膜的制备第98-100页
        7.1.1 CoIr薄膜成分确定第98-99页
        7.1.2 CoIr薄膜的晶体结构第99-100页
    7.2 不同成分Co_(1-x)Ir_x薄膜的静态磁性第100-103页
    7.3 不同成分Co_(1-x)Ir_x薄膜的ESR测量与共振场拟合第103-106页
    7.4 不同成分CoIr薄膜的高频磁性第106-109页
    7.5 小结第109-110页
    引文第110-111页
第八章 基片温度对CoIr薄膜形貌与高频磁性的影响第111-125页
    8.1 CoIr薄膜形貌以及晶粒尺寸随基片温度的变化第111-113页
    8.2 基片温度对CoIr薄膜静态磁性的影响第113-116页
    8.3 不同基片温度下CoIr薄膜的ESR测量与各向异性场拟合第116-118页
    8.4 基片温度对CoIr薄膜高频磁性的影响第118-122页
    8.5 小结第122-123页
    引文第123-125页
第九章 膜厚对CoIr薄膜静态磁性及高频磁性的影响第125-140页
    9.1 膜厚对CoIr薄膜静态磁性的影响第125-128页
    9.2 不同厚度CoIr薄膜的ESR测量及共振场拟合第128-130页
    9.3 膜厚对CoIr薄膜高频磁性的影响第130-133页
    9.4 衬底层厚度对CoIr薄膜磁性的影响第133-136页
    9.5 小结第136-138页
    引文第138-140页
第十章 结论与展望第140-143页
    10.1 主要结论第140-142页
    10.2 展望第142-143页
附录第143-144页
致谢第144-145页

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