| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第11页 |
| 1.2 半导体光催化的基本原理 | 第11-13页 |
| 1.3 钒酸铋光催化材料的概述 | 第13页 |
| 1.4 钒酸铋半导体光催化材料研究现状 | 第13-16页 |
| 1.5 半导体异质结光催化剂 | 第16-23页 |
| 1.5.1 I型异质结 | 第17-18页 |
| 1.5.2 II型异质结 | 第18-19页 |
| 1.5.3 p-n型异质结 | 第19-20页 |
| 1.5.4 同质结 | 第20-21页 |
| 1.5.5 Z-型异质结 | 第21-23页 |
| 1.6 课题的研究意义及研究内容 | 第23-24页 |
| 1.6.1 课题的研究意义 | 第23页 |
| 1.6.2 课题的研究内容 | 第23-24页 |
| 2 BiVO_4/g-C_3N_4的制备及其可见光光催化性能研究 | 第24-41页 |
| 2.1 研究背景 | 第24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-27页 |
| 2.2.1 实验药品及仪器 | 第24-26页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第26页 |
| 2.2.3 光催化降解性能测试 | 第26-27页 |
| 2.2.4 样品表征 | 第27页 |
| 2.2.5 光电化学测试 | 第27页 |
| 2.2.6 活性自由基捕获试验 | 第27页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第27-39页 |
| 2.3.1 XRD分析 | 第27-28页 |
| 2.3.2 SEM和TEM分析 | 第28-30页 |
| 2.3.3 TG-DTA和BET分析 | 第30-32页 |
| 2.3.4 FT-IR和Raman分析 | 第32-33页 |
| 2.3.5 XPS分析 | 第33-34页 |
| 2.3.6 UV-Vis-DRS分析 | 第34-35页 |
| 2.3.7 PL分析 | 第35-36页 |
| 2.3.8 光电化学分析 | 第36-37页 |
| 2.3.9 光催化降解测试分析 | 第37-38页 |
| 2.3.10 光催化机理分析 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 3 SeNRs/BiVO_4的制备及其可见光光催化性能研究 | 第41-57页 |
| 3.1 研究背景 | 第41-42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-45页 |
| 3.2.1 实验药品及仪器 | 第42-43页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第43-44页 |
| 3.2.2.1 Se纳米棒的制备 | 第43页 |
| 3.2.2.2 SeNRs/BiVO_4的制备 | 第43-44页 |
| 3.2.3 光催化降解性能测试 | 第44页 |
| 3.2.4 样品表征 | 第44页 |
| 3.2.5 光电化学测试 | 第44页 |
| 3.2.6 活性自由基(·OH)捕获试验 | 第44-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第45页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第45-46页 |
| 3.3.3 SEM分析 | 第46-48页 |
| 3.3.4 TEM分析 | 第48-49页 |
| 3.3.5 UV-Vis-DRS分析 | 第49-50页 |
| 3.3.6 光电化学测试分析 | 第50-51页 |
| 3.3.7 线性伏安曲线分析 | 第51页 |
| 3.3.8 光催化降解测试分析 | 第51-53页 |
| 3.3.9 TA-PL测试分析 | 第53页 |
| 3.3.10 半导体带隙结构的计算 | 第53-54页 |
| 3.3.11 光催化机理分析 | 第54-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 4 结论与展望 | 第57-60页 |
| 4.1 结论与创新 | 第57-58页 |
| 4.1.1 结论 | 第57-58页 |
| 4.1.2 创新之处 | 第58页 |
| 4.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的科研及奖励 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |