| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11页 |
| 1.2 拓扑绝缘体的理论介绍 | 第11-14页 |
| 1.2.1 拓扑性质 | 第11-12页 |
| 1.2.2 绝缘态和金属态的能带理论 | 第12-13页 |
| 1.2.3 拓扑绝缘态 | 第13-14页 |
| 1.3 霍尔效应 | 第14-15页 |
| 1.3.1 经典霍尔效应(HE) | 第14页 |
| 1.3.2 反常霍尔效应(AHE) | 第14-15页 |
| 1.3.3 量子霍尔效应(QHE) | 第15页 |
| 1.4 拓扑绝缘体Bi_2Te_3的研究现状 | 第15-21页 |
| 1.4.1 Bi_2Te_3的晶体结构 | 第15-17页 |
| 1.4.2 单晶块材样品制备方法 | 第17页 |
| 1.4.3 单晶薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| 1.4.4 Bi_2Te_3的表面态能谱研究 | 第18-19页 |
| 1.4.5 拓扑超导体 | 第19-20页 |
| 1.4.6 元素掺杂效应 | 第20-21页 |
| 1.5 本文工作及结构 | 第21-22页 |
| 第2章 拓扑绝缘体Bi_2Te_3单晶样品制备工艺探究及样品性能的测试分析 | 第22-31页 |
| 2.1 样品制备工艺探究设计方案 | 第22-23页 |
| 2.2 分析测试方法 | 第23-26页 |
| 2.2.1 物相分析—X射线衍射仪 | 第23-24页 |
| 2.2.2 表面形貌—扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.3 电输运和磁性测量—综合物性测量系统 | 第25-26页 |
| 2.2.4 磁电阻分析 | 第26页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第26-30页 |
| 2.3.1 样品制备工艺参数探究 | 第26-28页 |
| 2.3.2 典型样品测试分析 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 非磁性元素Cu掺杂对Bi_2Te_3特性的影响 | 第31-37页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 Cu_xBi_2Te_3样品的制备与表征 | 第31-32页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第32-36页 |
| 3.3.1 Cu插入Bi_2Te_3样品的XRD分析 | 第32-33页 |
| 3.3.2 Cu_xBi_2Te_3形貌分析 | 第33-34页 |
| 3.3.3 Cu_xBi_2Te_3电输运分析 | 第34-36页 |
| 3.4、小结 | 第36-37页 |
| 第4章 磁性元素Fe掺杂对Bi_2Te_3特性的影响 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 Fe_xBi_2Te_3样品的制备与表征 | 第37-38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-45页 |
| 4.3.1 Fe掺杂Bi_2Te_3样品XRD分析 | 第38-39页 |
| 4.3.2 Fe_xBi_2Te_3样品形貌分析 | 第39-41页 |
| 4.3.3 Fe_xBi_2Te_3样品电输运分析 | 第41-44页 |
| 4.3.4 Fe_xBi_2Te_3样品磁输运分析 | 第44-45页 |
| 4.4 小结 | 第45-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52页 |
