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Li掺杂SnO2d0磁性的第一性原理研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-13页
    1.1 自旋电子学第10页
    1.2 稀磁半导体第10-11页
    1.3 二氧化锡简介第11页
    1.4 选题思路第11-13页
第2章 基本理论第13-29页
    2.1 第一性原理计算第13页
    2.2 Hartree-Fock(哈特利-福克近似)第13-15页
    2.3 密度泛函理论(DFT)第15-21页
        2.3.1 Hohenberg-Kohn 定理第16-18页
        2.3.2 Kohn-Sham 方程第18-19页
        2.3.3 局域密度近似(LDA)第19-20页
        2.3.4 广义梯度近似(GGA)第20-21页
    2.4 几种常用的能带计算方法第21-26页
        2.4.1 缀加平面波法(APW)第22-23页
        2.4.2 正交化平面波法第23-25页
        2.4.3 赝势方法第25-26页
    2.5 自洽-迭代计算方法第26-27页
    2.6 VASP 程序包简介第27-29页
第3章 Li 掺杂 SnO_2体系 d~0磁性的研究第29-55页
    3.1 模型构建和计算方法第29-30页
        3.1.1 模型构建第29-30页
        3.1.2 计算方法第30页
    3.2 Li 掺杂 SnO_2体系 d~0磁性的研究第30-55页
        3.2.1 缺陷形成能(Ef)第30-32页
        3.2.2 Li 掺杂 SnO_2的计算结果与分析第32-40页
        3.2.3 含有氧空位的 Li 掺杂 SnO_2的计算结果与分析第40-52页
        3.2.4 Li 掺杂 SnO_2的形成能第52-53页
        3.2.5 Li 掺杂 SnO_2的晶格常数第53页
        3.2.6 不同掺杂浓度的 Li 掺杂 SnO_2的磁性第53-54页
        3.2.7 掺杂浓度为 8.33%的 Li 掺杂 SnO_2的磁性第54-55页
第4章 结论第55-56页
参考文献第56-62页
致谢第62页

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