| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 生物芯片的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 光学生物芯片简介 | 第10-11页 |
| 1.3 新型磁性生物芯片简介 | 第11-12页 |
| 1.3.1 新型磁芯生物芯片的优势 | 第11-12页 |
| 1.3.2 新型磁芯生物芯片工作原理 | 第12页 |
| 1.4 本论文的主要工作内容和创新点 | 第12-15页 |
| 1.4.1 本论文的研究目的 | 第12-13页 |
| 1.4.2 本论文的创新点 | 第13页 |
| 1.4.3 本论文的主要工作内容 | 第13-15页 |
| 第二章 自旋电子学简介 | 第15-22页 |
| 2.1 自旋电子学简介 | 第15-16页 |
| 2.2 巨磁电阻效应 | 第16-17页 |
| 2.3 自旋阀原理与结构 | 第17-19页 |
| 2.4 铁磁/反铁磁双层膜的交换偏置作用 | 第19页 |
| 2.5 自旋阀巨磁电阻器件的应用 | 第19-22页 |
| 第三章 自旋输运的物理机制 | 第22-27页 |
| 3.1 自旋电子学中的物理概念 | 第22-23页 |
| 3.1.1 自旋极化和自旋相关散射 | 第22-23页 |
| 3.1.2 自旋弛豫和自旋扩散长度 | 第23页 |
| 3.2 基于MOTT二流体电阻的磁电阻物理模型 | 第23-26页 |
| 3.3 小结 | 第26-27页 |
| 第四章 自旋阀薄膜的制备、退火及测量 | 第27-37页 |
| 4.1 磁控溅射工艺 | 第27-32页 |
| 4.1.1 辉光放电 | 第27-28页 |
| 4.1.2 磁控溅射技术 | 第28-30页 |
| 4.1.3 高真空磁控溅射仪 | 第30-31页 |
| 4.1.4 自旋阀薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 4.2 自旋阀薄膜的退火处理 | 第32-33页 |
| 4.3 自旋阀磁电阻测量 | 第33-36页 |
| 4.4 小结 | 第36-37页 |
| 第五章 顶钉扎型自旋阀性能优化的研究 | 第37-52页 |
| 5.1 顶钉扎型自旋阀的磁电阻性能研究 | 第37-49页 |
| 5.1.1 顶钉扎型自旋阀结构 | 第37页 |
| 5.1.2 顶钉扎自旋阀结构及各层材料选择 | 第37-38页 |
| 5.1.3 实验条件及参数 | 第38-39页 |
| 5.1.4 反铁磁材料的选择与优化 | 第39-41页 |
| 5.1.5 被钉扎层的优化 | 第41-44页 |
| 5.1.6 Cu隔离层厚度与自旋阀磁电阻变化率的关系 | 第44-45页 |
| 5.1.7 NiFe/CoFe自由层的优化研究 | 第45-46页 |
| 5.1.8 缓冲层Ta的优化研究 | 第46-49页 |
| 5.2 自旋阀矫顽力的研究 | 第49-51页 |
| 5.3 自旋阀薄膜的高频特性研究 | 第51页 |
| 5.4 小结 | 第51-52页 |
| 第六章 总结和展望 | 第52-53页 |
| 6.1 硕士期间的主要工作内容回顾和主要结论 | 第52页 |
| 6.2 工作中的不足和后续的研究工作 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 在学期间的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |