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Mg掺杂对Ga2O3薄膜生长和性能的影响研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-26页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 氧化镓材料简介第10-18页
        1.2.1 晶体结构第10-13页
        1.2.2 基本性质第13-14页
        1.2.3 应用前景第14-18页
    1.3 Mg掺杂氧化镓薄膜研究现状第18-19页
    1.4 研究内容及结构安排第19-21页
    参考文献第21-26页
第二章 氧化稼薄膜的制备方法及分析手段第26-37页
    2.1 引言第26页
    2.2 薄膜样品的制备方法第26-31页
        2.2.1 脉冲激光沉积法第26-27页
        2.2.2 分子束外延法第27-28页
        2.2.3 激光分子束外延法第28-29页
        2.2.4 磁控溅射法第29-30页
        2.2.5 金属有机化学气相沉积法第30-31页
    2.3 薄膜样品的表征手段第31-35页
        2.3.1 X射线衍射分析第31-32页
        2.3.2 扫描电子显微镜第32-33页
        2.3.3 X射线光电子能谱分析第33-34页
        2.3.4 紫外-可见吸收光谱分析第34-35页
        2.3.5 X射线能量色散谱分析第35页
    2.4 本章小结第35-36页
    参考文献第36-37页
第三章 Mg掺杂Ga_2O_3多层结构薄膜的制备及性能研究第37-49页
    3.1 引言第37页
    3.2 薄膜样品的制备第37-40页
        3.2.1 前期准备第37-38页
        3.2.2 沉积过程第38-40页
    3.3 薄膜的基本性能第40-46页
        3.3.1 XRD分析第40-42页
        3.3.2 XPS分析第42-44页
        3.3.3 UV Vis分析第44-45页
        3.3.4 SEM分析第45-46页
    3.4 本章小结第46-47页
    参考文献第47-49页
第四章 Ga_2O_3/MgO/Ga_2O_3异质结薄膜的制备及性能研究第49-55页
    4.1 引言第49页
    4.2 制备方法第49-50页
        4.2.1 薄膜的生长第49-50页
        4.2.2 电极的制备第50页
    4.3 性能表征第50-53页
        4.3.1 XRD分析第50-51页
        4.3.2 UV-Vis分析第51页
        4.3.3 光电性能第51-53页
    4.4 本章小结第53-54页
    参考文献第54-55页
第五章 结论与展望第55-57页
    5.1 总结第55页
    5.2 展望第55-57页
致谢第57-59页
攻读硕士学位期间取得的学术成果第59页

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