首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

基于ZnO纳米线阵列的压电调控LED/QLED器件研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-22页
    1.1 研究背景第11-12页
    1.2 研究意义第12-14页
    1.3 国内外研究现状第14-19页
    1.4 本论文研究的内容与意义第19-22页
        1.4.1 研究内容第19页
        1.4.2 研究目标第19-20页
        1.4.3 论文研究意义第20页
        1.4.4 本项目的特色与创新之处第20-22页
第二章 材料制备仪器以及测试手段第22-34页
    2.1 ZnO实验材料的制备方法及其原理第22-26页
        2.1.1 分子束外延(MBE)第22页
        2.1.2 金属有机化学气相沉积(MOCVD)第22-23页
        2.1.3 原子层沉积(PLD)第23页
        2.1.4 磁控溅射(MS)第23-24页
        2.1.5 激光脉冲沉积(PLD)第24-25页
        2.1.6 水热法合成ZnO纳米线第25-26页
    2.2 微纳加工及其材料表征第26-34页
        2.2.1 紫外光刻技术第26-27页
        2.2.2 激光直写技术第27页
        2.2.3 扫描电子显微镜(SEM)第27-28页
        2.2.4 原子力显微镜(AFM)第28-29页
        2.2.5 X射线衍射仪(XRD)第29-30页
        2.2.6 光致发光(PL)第30-31页
        2.2.7 电致发光(EL)第31-32页
        2.2.8 等离子体清洗技术第32-34页
第三章 压电调控GaN/ZnO阵列二极管激发量子点荧光器件制备及测试第34-43页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 压电调控GaN/ZnO阵列二极管激发量子点荧光器件制备第35-38页
        3.2.1 实验材料及设备第35页
        3.2.2 磁控溅射与紫外光刻制备100*100网格电极。第35-36页
        3.2.3 水热法生长单根ZnO纳米线阵列第36-38页
        3.2.4 磁控溅射Ag顶电极第38页
    3.3 压电调控GaN/ZnO阵列二极管激发量子点荧光器件制备第38-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第四章 压电调控GaN/ZnO阵列二极管激发量子点荧光器件测试.第43-50页
    4.1 引言第43页
    4.2 ZnO阵列的XRD及I-V特性第43-45页
    4.3 器件的电致发光及激发量子点荧光测试第45-47页
    4.4 n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管的发光机制第47-49页
        4.4.1 Anderson能带模型第47-48页
        4.4.2 n-ZnO/p-GaN异质结LED的发光机制第48-49页
    4.5 本章小结第49-50页
第五章 柔性压电调控量子点发光二极管制备第50-58页
    5.1 引言第50-51页
    5.2 柔性压电调控量子点发光二极管制备第51-52页
        5.2.1 实验材料及设备第51页
        5.2.2 制备5ZnO种子层阵列第51-52页
    5.3 柔性压电调控量子点发光二极管器件的制备及性能研究第52-55页
        5.3.1 柔性压电调控量子点发光二极管器件的制备流程第52-55页
    5.4 本章小结第55-58页
第六章 柔性压电调控量子点发光二极管测试第58-68页
    6.1 引言第58-60页
    6.2 CdSe/CdS/ZnS壳核型量子点器件测试第60-63页
        6.2.1 CdSe/CdS/ZnS壳核型量子点量子点的光致发光第60页
        6.2.2 CdSe/CdS/ZnS壳核型量子点量子点器件的电致发光第60-61页
        6.2.3 CdSe/CdS/ZnS壳核型量子点量子点器件的电致性能第61-62页
        6.2.4 CdSe/CdS/ZnS壳核型量子点量子点器件的光学图片第62-63页
    6.3 CdSe@ZnS/Zn量子点器件测试第63-66页
        6.3.1 CdSe@ZnS/Zn量子点的光致发光第63页
        6.3.2 CdSe/CdS/ZnS壳核型量子点器件的电致发光第63-64页
        6.3.3 CdSe/CdS/ZnS壳核型量子点量子点器件的电致性能第64-66页
    6.4 压电调制量子点发光二极管第66页
    6.5 本章小结第66-68页
第七章 结论第68-69页
参考文献第69-78页
附录:作者攻读硕士学位期间发表论文及科研情况第78-79页
致谢第79页

论文共79页,点击 下载论文
上一篇:过渡金属掺杂TiO2性质对小分子气体光学气敏传感特性的影响
下一篇:基于深度学习的脑电信号识别技术研究