| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 单模垂直腔面发射激光器的发展 | 第13-14页 |
| 1.2 相干耦合VCSEL阵列的发展 | 第14-22页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 1.4 内容安排 | 第23-25页 |
| 第2章 垂直腔面发射激光器理论基础 | 第25-36页 |
| 2.1 垂直腔面发射激光器的基本结构和设计 | 第25-27页 |
| 2.2 垂直腔面发射激光器内的模式限制 | 第27-33页 |
| 2.3 垂直腔面发射激光器的热特性 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 同相相干耦合质子注入型垂直腔面发射激光器阵列的制备 | 第36-60页 |
| 3.1 质子注入型阵列的制作工艺 | 第36-45页 |
| 3.1.1 质子注入技术关键参数的确定 | 第38-39页 |
| 3.1.2 质子注入阵列掩膜制备 | 第39-42页 |
| 3.1.3 其它关键制作工艺 | 第42-45页 |
| 3.2 方形排布相干耦合面发射激光器阵列 | 第45-52页 |
| 3.2.1 2×2 相干耦合面发射激光器阵列制备及模式分析 | 第45-47页 |
| 3.2.2 质子注入型阵列的弱反波导折射率模型 | 第47-52页 |
| 3.3 三角形排布相干耦合面发射激光器阵列 | 第52-58页 |
| 3.3.1 三单元同相耦合面发射激光器阵列 | 第52-54页 |
| 3.3.2 七单元大工作电流范围相干耦合阵列 | 第54-58页 |
| 3.4 本章小节 | 第58-60页 |
| 第4章 相干耦合阵列温度、远场特性模拟分析 | 第60-75页 |
| 4.1 二维阵列内温度特性模拟与分析 | 第60-67页 |
| 4.1.1 三维热传导模型的建立 | 第60-63页 |
| 4.1.2 阵列内温度与阵列结构和注入电流密度的关系 | 第63-67页 |
| 4.2 相干耦合阵列远场特性的模拟与分析 | 第67-74页 |
| 4.2.1 有限差分方法建立远场分析模型 | 第67-69页 |
| 4.2.2 二维同相相干耦合阵列的结构优化 | 第69-74页 |
| 4.3 本章小节 | 第74-75页 |
| 第5章 相干耦合阵列的光束操控及相位调制的研究 | 第75-101页 |
| 5.1 光束操控阵列的基本原理 | 第75-76页 |
| 5.2 光束操控的FDTD模拟分析 | 第76-80页 |
| 5.2.1 单元间相位差对偏转角度的影响的模拟分析 | 第76-78页 |
| 5.2.2 阵列结构参数对偏转角度的影响的模拟分析 | 第78-80页 |
| 5.3 光束操控阵列的制备 | 第80-85页 |
| 5.3.1 光束操控阵列的版图设计 | 第80-82页 |
| 5.3.2 光束操控阵列的制备工艺 | 第82-85页 |
| 5.4 光束操控阵列的测试分析 | 第85-95页 |
| 5.4.1 测试平台 | 第85-86页 |
| 5.4.2 一维 1×2 阵列光束操控阵列测试 | 第86-92页 |
| 5.4.3 二维3单元光束操控阵列测试 | 第92-95页 |
| 5.5 相干耦合阵列的相位调制及模式转换 | 第95-100页 |
| 5.6 本章小节 | 第100-101页 |
| 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113页 |
