致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
图目录 | 第10-13页 |
表目录 | 第13-16页 |
第1章 绪论 | 第16-45页 |
1.1. 背景 | 第16-19页 |
1.2. FBAR的发展与现状 | 第19-42页 |
1.2.1. 压电AlN薄膜的制备工艺发展与现状 | 第20-33页 |
1.2.1.1. 沉积工艺与AlN薄膜c轴择优取向及结晶度的关系 | 第21-30页 |
1.2.1.2. 沉积工艺与薄膜应力的关系 | 第30-32页 |
1.2.1.3. 沉积工艺与薄膜表面粗糙度的关系 | 第32-33页 |
1.2.1.4. 沉积工艺与薄膜压电常数的关系 | 第33页 |
1.2.2. FBAR结构设计的发展与现状 | 第33-42页 |
1.2.2.1. FBAR的声学结构 | 第34-39页 |
1.2.2.2. FBAR的电学结构 | 第39-42页 |
1.3. 本章小结及论文的研究内容、安排及创新点 | 第42-45页 |
第2章 嵌入式电极侧向场激励FBAR的建模 | 第45-67页 |
2.1 晶体的声学性质 | 第45-53页 |
2.1.1 波动方程 | 第45-47页 |
2.1.2 应变S | 第47-48页 |
2.1.3 应力T | 第48-50页 |
2.1.4 弹性刚度常数c和弹性柔顺常数s | 第50-53页 |
2.2 晶体的电学性质 | 第53-55页 |
2.3 晶体的压电性质 | 第55-62页 |
2.3.1 压电效应和逆压电效应 | 第55-58页 |
2.3.2 压电方程 | 第58-60页 |
2.3.3 压电振子的振动模式 | 第60-62页 |
2.4 常规纵波FBAR的理论模型 | 第62-64页 |
2.5 嵌入式电极侧向场激励FBAR的理论模型 | 第64-65页 |
2.6 本章小结 | 第65-67页 |
第3章 嵌入式电极侧向场激励FBAR的仿真 | 第67-90页 |
3.1 AlN压电薄膜的声学参数 | 第67-68页 |
3.2 ANSYS仿真步骤 | 第68-74页 |
3.3 ANSYS仿真结果 | 第74-89页 |
3.3.1 理想FABR和复合FBAR模型仿真结果 | 第75-78页 |
3.3.2 表面电极与嵌入式电极侧向场激励FBAR仿真结果 | 第78-89页 |
3.4 本章小结 | 第89-90页 |
第4章 AlN薄膜的性能表征和制备 | 第90-132页 |
4.1 AlN薄膜的反应沉积基本过程和原理 | 第90-94页 |
4.1.1 靶的溅射过程 | 第90-92页 |
4.1.2 凝结过程 | 第92-94页 |
4.2 直流和射频反应磁控溅射制备AlN薄膜 | 第94-130页 |
4.2.1 实验装置的简单介绍 | 第94-95页 |
4.2.2 直流和射频反应磁控溅射迟滞曲线研究 | 第95-104页 |
4.2.3 衬底温度对反应磁控溅射制备c轴择优取向AlN的影响 | 第104-125页 |
4.2.3.1 衬底温度对射频反应磁控溅射制备c轴择优取向AlN薄膜的影响 | 第104-114页 |
4.2.3.2 衬底温度对直流反应磁控溅射制备c轴择优取向AlN薄膜的影响 | 第114-122页 |
4.2.3.3 衬底温度对直流反应磁控溅射制备AlN薄膜的c轴倾斜程度的影响 | 第122-124页 |
4.2.3.4 衬底温度对直流反应磁控溅射制备AlN薄膜的表面粗糙度的影响 | 第124-125页 |
4.2.4 室温下紫外线实时辐射对射频反应磁控溅射制备AlN薄膜的影响 | 第125-130页 |
4.3 本章小结 | 第130-132页 |
第5章 嵌入式电极侧向场激励FBAR的制备和性能测试 | 第132-146页 |
5.1 常规纵波FBAR的制备和性能测试 | 第132-140页 |
5.1.1 硅背刻蚀型FBAR | 第132-136页 |
5.1.2 空气隙型FBAR | 第136-140页 |
5.2 嵌入式电极侧向场激励FBAR的制备和测试 | 第140-145页 |
5.2.1 窄带布拉格反射层的制备 | 第140-142页 |
5.2.2 嵌入式电极侧向场激励布拉格型FBAR的制备 | 第142-145页 |
5.3 本章小结 | 第145-146页 |
第6章 总结与展望 | 第146-150页 |
6.1 论文的主要研究内容 | 第146-147页 |
6.2 论文的主要创新点 | 第147-148页 |
6.3 论文的局限及展望 | 第148-150页 |
参考文献 | 第150-169页 |
作者简历及在校期间取得的科研成果 | 第169-170页 |