摘要 | 第10-12页 |
ABSTRACT | 第12-13页 |
第一章 绪论 | 第14-29页 |
1.1 磷硅化合物的合成方法 | 第14-18页 |
1.1.1 固相合成 | 第14-16页 |
1.1.2 助熔剂法 | 第16-18页 |
1.1.3 气相输运法 | 第18页 |
1.2 晶体生长方法 | 第18-22页 |
1.2.1 坩埚下降法 | 第18-20页 |
1.2.2 提拉法 | 第20-21页 |
1.2.3 区熔-移动加热器法 | 第21页 |
1.2.4 泡生法 | 第21-22页 |
1.3 磷硅化合物的研究进展 | 第22-24页 |
1.3.1 CdSiP_2究进展 | 第22-23页 |
1.3.2 FeSi_4P_4化合物的研究进展 | 第23页 |
1.3.3 NdSiP_3和NdSi_2P_6化合物研究进展 | 第23-24页 |
1.4 本论文的研究内容 | 第24-25页 |
参考文献 | 第25-29页 |
第二章 CdSiP_2多晶料合成和晶体生长 | 第29-38页 |
2.1 引言 | 第29页 |
2.2 CdSiP_2多晶料合成 | 第29-35页 |
2.2.1 合成炉及温场 | 第29-31页 |
2.2.2 原料性质 | 第31页 |
2.2.3 CdSiP_2多晶料反应过程研究 | 第31页 |
2.2.4 反应产物的X射线衍射分析(XRD) | 第31-33页 |
2.2.5 合成过程讨论 | 第33页 |
2.2.6 CdSiP_2多晶料合成 | 第33-35页 |
2.2.7 CdSiP_2多晶料合成工艺 | 第35页 |
2.3 CdSiP_2晶体生长 | 第35-37页 |
2.3.1 引言 | 第35页 |
2.3.2 垂直布里奇曼法生长CdSiP_2单晶 | 第35-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 FeSi_4P_4多晶料合成和晶体生长 | 第38-67页 |
3.1 引言 | 第38页 |
3.2 FeSi_4P_4(FSP)多晶料合成 | 第38-41页 |
3.2.1 FeSi_4P_4多晶料合成的方法 | 第38页 |
3.2.2 FeSi_4P_4多晶料合成结果 | 第38-40页 |
3.2.3 FeSi_4P_4多晶料合成结果讨论 | 第40-41页 |
3.3 FeSi_4P_4晶体生长 | 第41-47页 |
3.3.1 FeSi_4P_4晶体生长过程研究 | 第41-42页 |
3.3.2 缓冷法生长FeSi_4P_4晶体 | 第42-44页 |
3.3.3 坩埚倒转法生长FeSi_4P_4晶体 | 第44-45页 |
3.3.4 坩埚倒转法+重结晶法生长FeSi_4P_4晶体 | 第45页 |
3.3.5 FeSi_4P_4晶体生长讨论 | 第45-46页 |
3.3.6 X射线粉末衍射分析(XRD) | 第46-47页 |
3.4 FeSi_4P_4晶体基本性质测试 | 第47-66页 |
3.4.1 FeSi_4P_4晶体结构解析 | 第47-52页 |
3.4.2 FeSi_4P_4晶体处理 | 第52-53页 |
3.4.3 X射线荧光(XRF)测试 | 第53-54页 |
3.4.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第54-56页 |
3.4.5 FeSi_4P_4化合物磁性分析 | 第56-58页 |
3.4.6 FeSi_4P_4晶体XRD摇摆曲线 | 第58-60页 |
3.4.7 FeSi_4P_4化合物的DSC/TGA | 第60-61页 |
3.4.8 FeSi_4P_4晶体热膨胀 | 第61-62页 |
3.4.9 FeSi_4P_4晶体的热导率 | 第62-64页 |
3.4.10 FeSi_4P_4化合物拉曼光谱测试 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-67页 |
第四章 NdSiP_3和NdSi_2P_6晶体生长 | 第67-93页 |
4.1 引言 | 第67页 |
4.2 NdSiP_3和NdSi_2P_6晶体生长 | 第67-68页 |
4.3 NdSi_2P_6单晶解析 | 第68-83页 |
4.4 NdSiP_3单晶解析 | 第83-91页 |
4.5 本章小结 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-93页 |
第五章 结论及有待开展的工作 | 第93-95页 |
5.1 结论 | 第93-94页 |
5.2 有待进一步开展的工作 | 第94-95页 |
致谢 | 第95-97页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第97页 |