| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 GaN的结构与性质 | 第13-14页 |
| 1.3 稀土掺杂GaN | 第14-18页 |
| 1.3.1 稀土元素 | 第14-15页 |
| 1.3.2 掺杂方式 | 第15-16页 |
| 1.3.3 GaN: Er材料 | 第16-18页 |
| 1.4 稀土掺杂GaN材料应用 | 第18-20页 |
| 1.4.1 全色显示 | 第19页 |
| 1.4.2 放大器、激光器 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 GaN: Er薄膜常温下的光学性质及结构性质研究 | 第21-34页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 实验方法 | 第21-23页 |
| 2.2.1 样品制备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 材料表征 | 第22-23页 |
| 2.3 光学性质分析 | 第23-29页 |
| 2.3.1 退火温度对发光性能的影响 | 第23-26页 |
| 2.3.2 退火气氛对发光性能影响 | 第26-27页 |
| 2.3.3 Er离子注入剂量对发光性能的影响 | 第27-29页 |
| 2.4 结构性质分析 | 第29-33页 |
| 2.4.1 注入剂量的影响 | 第29-30页 |
| 2.4.2 退火温度的影响 | 第30-32页 |
| 2.4.3 注入剂量与退火条件之间的关系 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 GaN: Er薄膜变温阴极荧光分析 | 第34-42页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 实验部分 | 第34-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-41页 |
| 3.3.1 Er离子注入对带边发光的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 不同加速电压下的发光性质 | 第37-38页 |
| 3.3.3 不同温度下的发光性质 | 第38-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 不同稀土离子共注入GaN薄膜的光学性质及结构性质研究 | 第42-61页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 实验 | 第43页 |
| 4.3 光学性质 | 第43-56页 |
| 4.3.1 Pr、Tm单注入 | 第43-46页 |
| 4.3.2 共注入Pr、Tm | 第46-49页 |
| 4.3.3 共注入Er、Tm | 第49-50页 |
| 4.3.4 共注入Er、Pr | 第50-52页 |
| 4.3.5 共注入Tm、Er、Pr | 第52-53页 |
| 4.3.6 稀土离子对黄带发光的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.7 稀土离子对DAP发光的影响 | 第54-56页 |
| 4.4 结构性质 | 第56-59页 |
| 4.4.1 稀土注入GaN的XRD测试结果 | 第56-58页 |
| 4.4.2 稀土注入GaN的Raman测试结果 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 图表目录 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 作者简历 | 第74-75页 |