| 中文摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-17页 |
| 1.1 红外探测材料简介 | 第13-14页 |
| 1.2 HgCdTe材料的相关内容 | 第14-16页 |
| 1.2.1 HgCdTe材料概述 | 第14页 |
| 1.2.2 碲镉汞材料的制备 | 第14-15页 |
| 1.2.3 碲镉汞材料的应用 | 第15-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 分子模拟技术 | 第17-26页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 分子模拟技术的常见方法 | 第17-20页 |
| 2.2.1 Monte Carlo方法(MC) | 第17-18页 |
| 2.2.2 分子动力学方法(MD) | 第18页 |
| 2.2.3 分子力学方法(MM) | 第18-19页 |
| 2.2.4 量子力学方法(QM) | 第19页 |
| 2.2.5 介观模拟方法(Mesoscale Simulation) | 第19-20页 |
| 2.3 第一性原理计算理论 | 第20-23页 |
| 2.3.1 第一性原理计算 | 第20页 |
| 2.3.2 薛定谔方程 | 第20-21页 |
| 2.3.3 密度泛函理论(DFT) | 第21-23页 |
| 2.3.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| 2.3.3.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.3.3.3 交换关联能的近似方法 | 第23页 |
| 2.4 VASP(Vienna Ab-inito Simulation Package)软件包 | 第23-26页 |
| 2.4.1 赝势 | 第24页 |
| 2.4.2 VASP的使用 | 第24-26页 |
| 第三章 Au掺杂碲镉汞材料的第一性原理研究 | 第26-39页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 计算方法和模型 | 第27-28页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第28-38页 |
| 3.3.1 原子弛豫 | 第28-30页 |
| 3.3.2 成键机制 | 第30-33页 |
| 3.3.3 电学性质 | 第33-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 Bi掺杂Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te的第一性原理研究 | 第39-54页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 计算方法 | 第39-41页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第41-52页 |
| 4.3.1 Bi掺杂Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te的结构弛豫分析 | 第41-42页 |
| 4.3.2 成键机制 | 第42-46页 |
| 4.3.3 电学性质 | 第46-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 论文完成的工作 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况 | 第63-64页 |
| 学位论文评阅及答辩情况隶表 | 第64页 |
