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印制电路板高速电镀通孔的研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第12-28页
    1.1 电镀铜的基本概况第12-14页
        1.1.1 电镀的基本概念第12页
        1.1.2 电镀铜工业的基本概况第12-14页
    1.2 印制电路板电镀铜简介第14-16页
        1.2.1 印制电路板和导孔的概念第14页
        1.2.2 酸性光亮镀铜的应用和发展第14-16页
    1.3 酸性光亮镀铜的分类第16-18页
        1.3.1 通孔电镀技术第16-17页
        1.3.2 微盲孔电镀填孔技术第17-18页
        1.3.3 微通孔填孔技术第18页
    1.4 镀液组分第18-24页
        1.4.1. VMS第18-20页
        1.4.2 有机添加剂对高速电镀的影响第20-21页
            1.4.2.1 抑制剂第21页
        1.4.3 光亮剂第21-23页
        1.4.4 整平剂第23-24页
    1.5 电镀工艺条件第24-25页
        1.5.1 电流密度第24-25页
        1.5.2 温度第25页
        1.5.3 镀液循环第25页
    1.6 电化学理论在电镀铜中的应用第25-27页
        1.6.1 法拉第定律第25-26页
        1.6.2 塔菲尔定律第26-27页
    1.7 选题意义第27页
    1.8 本论文的主要研究内容第27-28页
第二章 高速电镀铜抑制剂和整平剂的电化学特性第28-46页
    2.1 抑制剂的电化学特性第28-37页
        2.1.1 定性分析第30-31页
        2.1.2 定量分析第31-32页
        2.1.3 高速通孔电镀铜专用抑制剂CMC4431的性能评估第32-37页
            2.1.3.1 配制VMS第33页
            2.1.3.2 均镀能力测试方法第33-34页
            2.1.3.3 实验结果与讨论第34-36页
            2.1.3.4 CMC4431与PEG-10000的对比第36-37页
    2.2 整平剂的电化学特性第37-44页
        2.2.1 电化学方法分析整平剂第37-40页
        2.2.2 霍尔槽电镀实验测试整平剂性能第40-41页
        2.2.3 哈林槽电镀实验测试整平剂性能及讨论第41-44页
    2.3 小结第44-46页
第三章 氧化还原电对在电镀铜体系中的作用第46-54页
    3.1 实验准备第47页
    3.2 Fe~(3+)/Fe(2+)对镀液的影响第47-50页
        3.2.1 FeSO_4对电流效率的影响第47-49页
        3.2.2 FeSO_4 + Fe2(SO_4)_3 对电流效率的影响第49页
        3.2.3 FeSO_4 + Fe2(SO_4)_3 对均镀能力的影响第49-50页
    3.3 醌/氢醌在镀液中的作用第50-52页
    3.4 小结第52-54页
第四章 高速通孔电镀铜的优化第54-64页
    4.1 实验设计第54-56页
        4.1.1 PCB化学镀铜第55页
        4.1.2 前处理第55-56页
        4.1.3 电镀工艺第56页
    4.2 实验结果第56-58页
    4.3 施镀参数对均镀能力的影响第58-59页
        4.3.1 电流密度的影响第58-59页
        4.3.2 搅拌强度的影响第59页
    4.4 应用于其他PCB电镀第59-62页
        4.4.1 用于其他通孔电镀第59-61页
        4.4.2 用于PCB盲孔铜层增厚第61-62页
    4.5 (HO)_2C_6H_3SO_3K对高速电镀的作用第62-63页
    4.6 小结第63-64页
第五章 结论第64-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-71页
在学期间取得的与学位论文相关的研究成果第71-72页

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