| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·器件微型化的挑战 | 第10页 |
| ·分子电子学 | 第10-13页 |
| ·分子电子学的定义与分子器件 | 第10-11页 |
| ·分子电子学的发展和研究现状 | 第11-13页 |
| ·计算机模拟的开展 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要内容及意义 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第20-34页 |
| ·第一性原理计算 | 第20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-26页 |
| ·理论基础 | 第21-23页 |
| ·具体应用 | 第23-26页 |
| ·电子结构计算的一般过程 | 第26页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第26-29页 |
| ·分子器件中的电流公式 | 第29页 |
| ·基于DFT和非平衡格林函数方法的量子输运计算方法 | 第29-31页 |
| ·量子输运计算软件简介 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 PTCDI-[CH_2]_N的电子输运性质的研究:分子整流 | 第34-44页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·计算模型和理论计算方法 | 第35-36页 |
| ·计算结果和讨论 | 第36-41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第四章 金纳米线的电子结构与输运性质的研究 | 第44-54页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·计算方法与计算模型 | 第45-46页 |
| ·结果和分析 | 第46-50页 |
| ·金纳米线的电子结构 | 第46-50页 |
| ·金纳米线的电子输运 | 第50页 |
| ·结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 团簇MN_4O_4的电子结构及输运性质的研究 | 第54-64页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·计算模型与方法 | 第55-57页 |
| ·结果与分析 | 第57-60页 |
| ·体系的电子结构 | 第57页 |
| ·体系的自旋极化输运性质 | 第57-60页 |
| ·结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第67页 |
