| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 纳米半导体光电器件的发展现状及应用领域 | 第8-10页 |
| 1.1.1 纳米半导体光电器件的研究现状 | 第8-9页 |
| 1.1.2 半导体纳米材料的应用 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米半导体材料的电子传导特性及优势 | 第10-12页 |
| 1.2.1 纳米半导体材料的光电导特性 | 第10-12页 |
| 1.2.2 二维纳米结构光电极材料 | 第12页 |
| 1.3 纳米半导体Si材料 | 第12-16页 |
| 1.3.1 硅纳米材料的发展现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 硅纳米材料光学特性 | 第14-15页 |
| 1.3.3 SiC纳米材料 | 第15-16页 |
| 1.4 本实验创新点 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究目的与研究内容 | 第17-21页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第17-18页 |
| 1.5.2 选题意义 | 第18页 |
| 1.5.3 研究内容 | 第18-21页 |
| 2 实验设备及检测方法 | 第21-30页 |
| 2.1 Si纳米材料的制备方法 | 第21-22页 |
| 2.2 直流电弧等离子体法制备纳米材料 | 第22-24页 |
| 2.2.1 直流电弧等离子体法制备原理特征 | 第22-24页 |
| 2.2.2 本论文用直流电弧等离子体法制备 Si 纳米材料 | 第24页 |
| 2.3 实验所用仪器设备与原料 | 第24-26页 |
| 2.4 光响应电极制备及光电响应性能测试 | 第26-29页 |
| 2.5 Si-C纳米复合材料制备 | 第29-30页 |
| 3 纳米复合材料的表征方法 | 第30-32页 |
| 3.1 形貌和结构表征手段 | 第30-32页 |
| 3.1.1 X射线衍射(XRD) | 第30页 |
| 3.1.2 透射电子显微镜（TEM） | 第30-31页 |
| 3.1.3 红外吸收光谱（FITR） | 第31页 |
| 3.1.4 拉曼吸收光谱(Raman) | 第31页 |
| 3.1.5 X射线光电子能谱（XPS） | 第31-32页 |
| 4 表征和性能分析 | 第32-45页 |
| 4.1 Si和Si-C-100 的纳米晶体形貌 | 第32-39页 |
| 4.1.1 Si和Si-C-100 的TEM | 第32-33页 |
| 4.1.2 Si和Si-C-100 的AFM | 第33-34页 |
| 4.1.3 Si和Si-C-100 的XRD | 第34-35页 |
| 4.1.4 Si 和 Si-C-100 的 FITR | 第35-36页 |
| 4.1.5 Si 和 Si-C-100 的 Raman 图 | 第36-37页 |
| 4.1.6 Si 和 Si-C-100 的 XPS 图 | 第37-39页 |
| 4.2 光响应性能表征 | 第39-45页 |
| 4.2.1 200-800nm的光电流曲线 | 第39-40页 |
| 4.2.2 UV 200-400nm下的光电流曲线 | 第40-41页 |
| 4.2.3 单色 350nm下的光电流响应曲线 | 第41-42页 |
| 4.2.4 Vis 400-800nm光电流曲线 | 第42-45页 |
| 5 总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
