| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 半导体存储器概述 | 第10-15页 |
| 1.2 阻变存储材料及阻变机制研究现状 | 第15-22页 |
| 1.3 透明RRAM和柔性RRAM研究现状 | 第22-30页 |
| 1.4 纳米压印技术制备RRAM研究现状 | 第30-31页 |
| 1.5 选题意义和主要研究内容 | 第31-34页 |
| 2 阴阳离子缺陷对电阻开关极性的影响 | 第34-52页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 ZnO_x薄膜及器件制备工艺 | 第34-38页 |
| 2.3 ZnO_x薄膜组织结构特征 | 第38-39页 |
| 2.4 Al/ZnO_x/Al RRAM电致阻变行为 | 第39-48页 |
| 2.5 阴阳离子缺陷影响的开关极性转变机制 | 第48-51页 |
| 2.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 3 透明SnO_2：Mn薄膜阻变存储器研究 | 第52-76页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 透明SnO_2：Mn薄膜及器件制备过程 | 第52-55页 |
| 3.3 SnO_2：Mn薄膜组织结构特征 | 第55-63页 |
| 3.4 Al/SnO_2：Mn/FTO RRAM电阻转变行为 | 第63-69页 |
| 3.5 界而效应调制的SCLC传导机制 | 第69-75页 |
| 3.6 本章小结 | 第75-76页 |
| 4 柔性氧化锌薄膜阻变存储器研究 | 第76-101页 |
| 4.1 引言 | 第76-77页 |
| 4.2 低温制备氧化锌薄膜及柔性RRAM | 第77-80页 |
| 4.3 薄膜结构分析 | 第80-86页 |
| 4.4 电阻开关特性及Frenkel-Poole输运机制 | 第86-96页 |
| 4.5 柔性RRAM电阻开关特征 | 第96-100页 |
| 4.6 本章小结 | 第100-101页 |
| 5 基于纳米压印技术制备阻变存储器模板初步研究 | 第101-110页 |
| 5.1 引言 | 第101页 |
| 5.2 纳米点阵和十字交叉型器件结构设计 | 第101-102页 |
| 5.3 实验方案 | 第102-106页 |
| 5.4 光子晶体图案和硅模板的制备研究 | 第106-109页 |
| 5.5 本章小结 | 第109-110页 |
| 6 总结和展望 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-126页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第126-127页 |
